Dans le contexte de la modernisation des terminaux intelligents vers des conceptions plus fines, plus légères et plus hautes fréquences, la menace potentielle des décharges électrostatiques (DES) pour les circuits est devenue de plus en plus importante. Face à l'augmentation constante de la densité fonctionnelle des produits portables tels que les smartphones et les objets connectés, leurs liaisons de signaux internes à haut débit imposent des exigences de performance accrues aux dispositifs de protection DES : ils doivent non seulement résister aux chocs électrostatiques de forte intensité, mais aussi éviter d'altérer l'intégrité de la transmission du signal. Slkor a spécifiquement lancé la diode de protection DES bidirectionnelle BTRD04A035, qui, grâce à son boîtier DFN1006 compact et à ses performances équilibrées, constitue une barrière de protection fiable pour les appareils électroniques grand public.

Dispositif de protection conçu pour les applications haute fréquence, le BTRD04A035 offre un équilibre précis en termes de performances électriques : la tension de fonctionnement inverse (VRWM) atteint 5.0 V, compatible avec les circuits basse tension courants ; la tension de claquage inverse (VBR) s'étend de 5.6 V à 8.4 V (valeur typique : 6.5 V), garantissant l'absence d'interférence avec la transmission du signal en fonctionnement normal ; la tension de blocage directe (VC) n'est que de 10 V sous une impulsion de 1 A et de 12 V sous une impulsion de 5 A, ce qui permet de limiter rapidement les surtensions transitoires à une plage de sécurité et de protéger les puces sensibles en aval. Sa capacité de jonction (CJ) de 15 pF et son courant de fuite inverse (IR) de 0.1 μA assurent un équilibre optimal entre compatibilité des signaux haute fréquence et faible consommation d'énergie, ce qui le rend parfaitement adapté aux liaisons de données haut débit.

En termes de protection, l'appareil est conforme à la norme CEI 61000-4-2, avec des décharges de contact et d'air atteignant ±25 kV. Il peut résister à des chocs de foudre de 5 A (8/20 μs), avec une puissance d'impulsion de crête de 60 W. Associé à une vitesse de réponse de l'ordre de la nanoseconde, il peut supprimer instantanément les interférences électrostatiques et les surtensions. Le boîtier DFN1006 adopté (dimensions 0.55-0.65 mm × 0.95-1.05 mm × 0.35-0.45 mm) économise plus de 40 % d'espace par rapport aux boîtiers traditionnels, prend en charge les procédés de soudage par refusion sans plomb (température de pointe de 260 °C), répond aux exigences de fiabilité MSL et est compatible avec les circuits imprimés haute densité.

Les principaux avantages du produit se concentrent sur trois aspects :

● Protection tous scénarios : la protection ESD ±25 kV et la tolérance à la foudre de 5 A couvrent les scénarios d'interférence électromagnétique courants dans l'électronique grand public ;

● Compatibilité haute fréquence : la faible capacité de jonction de 15 pF a un impact minimal sur la transmission du signal à grande vitesse, s'adapte aux interfaces haute fréquence des terminaux intelligents ;

● Efficacité énergétique et intégration : le courant de fuite ultra-faible de 0.1 μA prolonge la durée de vie de la batterie de l'appareil et le boîtier DFN1006 facilite la conception de produits fins et légers.

Les domaines d'application couvrent largement les gammes de produits électroniques grand public grand public : smartphones, tablettes, téléviseurs intelligents et décodeurs, appareils portables et PDA, fonctionnant particulièrement bien dans les zones sensibles à l'électricité statique telles que les interfaces à écran tactile et les liaisons de transmission de données.

Un responsable de la division des dispositifs de protection de Slkor a déclaré : « La conception fondamentale du BTRD04A035 repose sur l'équilibre : assurer une protection haute intensité dans un boîtier compact tout en maintenant une faible interférence avec les signaux haute fréquence. Cette approche répond précisément à la tendance actuelle de développement des dispositifs électroniques, qui privilégie l'intégration fonctionnelle et la fiabilité. »

Actuellement, le BTRD04A035 est produit en série de manière stable, grâce à un conditionnement en bobines (10,000 XNUMX pièces par bobine) et à la prise en charge des achats en gros. Pour obtenir des manuels techniques ou des échantillons, veuillez consulter le site officiel de Slkor (SLKOR Semi-conducteurs : semi-conducteurs discrets, TVS, ESD, diodes, composants, transistors, mosfet, IGBT, redresseur, dispositifs d'alimentation discrets, SCR, TRIAC, diode Zener ; semi-conducteurs intégrés, amplificateur opérationnel, capteur à effet Hall, régulateur linéaire / LDO, convertisseur CC-CC, convertisseur CA-CC et optocoupleur) pour plus de détails.

À propos de Slkor :

SLKOR, dont le siège social est à Shenzhen, en Chine, est une entreprise nationale de haute technologie en plein essor dans le secteur des semi-conducteurs de puissance. Avec des centres de R&D à Pékin et à Suzhou, son équipe technique principale est issue de l'Université Tsinghua. Innovateur dans la technologie des composants de puissance en carbure de silicium (SiC), SLKORLes produits de l'entreprise sont largement utilisés dans les véhicules à énergies nouvelles, la production d'énergie photovoltaïque, l'Internet des objets industriel et l'électronique grand public, fournissant des solutions semi-conducteurs essentielles à plus de 10 000 clients dans le monde. L'entreprise livre plus de 2 milliards d'unités par an, et ses MOSFET SiC et ses diodes SBD à récupération ultrarapide de 5e génération établissent de nouvelles références dans le secteur en matière de rendement et de stabilité thermique. SLKOR Détient plus de 100 brevets d'invention et propose plus de 2,000 9001 modèles de produits, élargissant continuellement son portefeuille de propriété intellectuelle aux dispositifs d'alimentation, aux capteurs et aux circuits intégrés de gestion de l'énergie. Ses certifications, notamment ISO 65, RoHS/REACH UE et CPXNUMX, témoignent de l'engagement indéfectible de l'entreprise en faveur de l'innovation technologique, de la production allégée et du développement durable.