מוקד שירות
מוצרים
מוצרים
SL4813A P-Channel Power MOSFET SOP-8
● טכנולוגיית MOSFET LV של Trench Power
● עיצוב תאים בצפיפות גבוהה עבור RDS(ON) נמוך
● מיתוג במהירות גבוהה
היתרונות שלנו
תהליכי ייצור סיניים עברו שנים של איטרציה, והביאו לטכנולוגיות בוגרות ואמינות. תאגידים בינלאומיים רבים בוחרים במיקור חוץ של ייצור בסין. כיצרנית רכיבים אלקטרוניים בסין, המוצרים שלנו יכולים להחליף באופן מלא את אלה של מותגים בינלאומיים גדולים ב-99% מהיישומים ללא צורך באימות בדיקה. המוצרים שלנו מתהדרים בעקביות גבוהה באיכות, תמחור סביר, מלאי בשפע, אספקה גמישה, זמני אספקה קצרים ושירות מקצועי לאחר המכירה.
מבוא מוצר
ה-SL4813A הוא MOSFET הספק מסוג P-Channel. הוא כולל מתח פריצה של 30- וולט בזרם מתח-drain ותומך בפעולת מיתוג בזרם גבוה. התקן זה מספק התנגדות נמוכה במיוחד במצב פעיל תחת מתחי הנעה שונים של שער-מקור, יחד עם פרמטרים אופטימליים של טעינת שער כוללת, ומשיג ביצועי מיתוג הספק בעלי יעילות גבוהה עבור יישומי מעגלים הקשורים להספק.
תכונות מוצר
- MOSFET הספק ערוץ-P עבור מעגלי מיתוג הספק בזרם גבוה - מתח פריצה של מקור הניקוז (BV DSS ): -30 וולט, מבטיח ביצועי מיתוג יציבים במתח שלילי - התנגדות במצב פעולה ( RDS(on) @ Vgs, Id): 25 mΩ מקסימלי @ VGS =-10 V, ID =-7 A; 40 mΩ מקסימלי @ VGS =-4.5 V, ID =-5 A. התנגדות פעולה נמוכה במיוחד מפחיתה אובדן הספק הולכה - מתח סף השער ( VGS(th) @ Id=-250 µA): -1.5 וולט ~ -2.5 וולט, מספק יכולת בקרת שער אמינה - טעינת שער כוללת (Qg): 28.44 nC, מאפייני טעינת שער אופטימליים משפרים את ביצועי המיתוג - זרם ניקוז נמוך אפס במתח שער וזרם דליפה מגוף השער ממזערים את צריכת ההספק הסטטית.
יישומים
ה-SL4813A מאומץ באופן נרחב בתרחישי מיתוג הספק בזרם גבוה. הודות להתנגדות מצב פעולה נמוכה במיוחד וביצועי טעינת שער אופטימליים, הוא משיג המרת הספק ביעילות גבוהה עבור ניהול הספק, מתגי עומס ותכנוני מעגלים המופעלים על ידי סוללות.
שם
כותרת
תיאור
גליון הנתונים
תמיכה
תמיכה
אם אתם זקוקים לתמיכה טכנית/עיצובית, אנא הודיעו לנו ומלאו את טופס התגובה. נחזור אליכם בהקדם האפשרי.
אריכות ימים
תוכנית אריכות הימים נועדה לספק ללקוחותינו מידע מעת לעת לגבי הזמן הצפוי בו ניתן יהיה להזמין את המוצרים שלנו. תוכנית אריכות הימים נבדקת ומתעדכנת באופן קבוע על ידי צוות ההנהלה הבכיר שלנו. צפו בתוכנית אריכות הימים שלנו כאן.
2SK3018 N-Channel Power MOSFET SOT-23
מותג: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W N-Channel Power MOSFET SOT-323
מותג: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 N-Channel Enhancement MOSFET SOT-523
מותג: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
2SK3019 טרנזיסטורי אפקט שדה מתכת אוקסיד-סיליקון
מותג: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V, 10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
BSN20 N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23
מותג: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
BSS205N N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23
מותג: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N-Channel
BSS84 P-Channel Enhancement Mode Transistor Field-Efect SOT-23
מותג: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P-Channel
FDN302P P-Channel Enhancement MOSFET SOT-23
מותג: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P-Channel
FDN304P P-Channel Enhancement MOSFET SOT-23
מותג: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN306P P-Channel Enhancement MOSFET SOT-23
מותג: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -12V Id(A)： -2.6A RDSON(Ω)： 30mΩ@-4.5V, -2.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
קווי המוצרים של SLKOR כוללים התקנים בדידים וכו', דיודות, טרנזיסטורים, התקני הספק; שבבי מעגלים משולבים וכו', וסתים ליניאריים, שבבי DC/DC, שבבי ממשק, חיישני הול, ADCs ו-BMS... יש לנו שנים של טכנולוגיה מצטברת בתחום מוליכים למחצה ייעודיים.
צריך עזרה? סרוק את הקוד עם הטלפון שלך כדי להתחיל לשוחח בצ'אט בוואטסאפ.
כל הזכויות שמורות ל-@2025
Slkor
粤公网安备44030002007346号