サービスホットライン
● トレンチパワーLV MOSFETテクノロジー
● 低RDS(ON)を実現する高密度セル設計
●高速スイッチング
中国の製造プロセスは長年の反復を経て、成熟した信頼性の高い技術に成長しました。多くの国際企業が中国での生産アウトソーシングを選択しています。中国の電子部品メーカーとして、当社の製品は、テスト検証を必要とせずに、アプリケーションの 99% で主要な国際ブランドの製品を完全に置き換えることができます。当社の製品は、品質の一貫性、リーズナブルな価格、十分な在庫、柔軟な供給、短いリードタイム、プロフェッショナルなアフターサービスを誇ります。
SL4813AはPチャネルパワーMOSFETです。ドレイン-ソース間降伏電圧は-30Vで、大電流スイッチング動作に対応しています。このデバイスは、様々なゲート-ソース駆動電圧において超低オン抵抗を実現し、最適化された総ゲート電荷パラメータと相まって、電力関連回路アプリケーションにおいて高効率な電力スイッチング性能を発揮します。
- 高電流パワースイッチング回路向けPチャネルパワーMOSFET - ドレイン-ソース降伏電圧(BV DSS ):-30V、安定した負電圧スイッチング性能を実現 - オン抵抗(R DS(on) @ Vgs、Id):VGS = -10V、ID = -7Aで最大25mΩ、VGS = -4.5V、ID = -5Aで最大40mΩ。超低オン抵抗により導通電力損失を低減 - ゲートしきい値電圧(V GS(th) @ Id=-250µA):-1.5V~-2.5V、信頼性の高いゲート制御機能を実現 - 総ゲート電荷(Qg):28.44nC、最適化されたゲート電荷特性によりスイッチング性能を向上 - 低いゼロゲート電圧ドレイン電流とゲートボディリーク電流により静的消費電力を最小化
SL4813Aは、大電流電力スイッチング用途で広く採用されています。超低オン抵抗と最適化されたゲート電荷特性により、電力管理、負荷スイッチ、バッテリー駆動回路設計において高効率な電力変換を実現します。
サポート
デザインや技術サポートが必要な場合は、お問い合わせフォームにご記入の上、ご連絡ください。できるだけ早くご連絡いたします。
耐用性アップ
長寿プログラムとは、お客様に製品のご注文時期に関する情報を随時ご提供することを目的としています。このプログラムは、当社の経営陣によって定期的に見直し、更新されています。長寿プログラムの詳細はこちらをご覧ください。















