servizio di Hotline
Prodotti
Prodotti
SL4813A MOSFET di potenza a canale P SOP-8
● Tecnologia Trench Power LV MOSFET
● Design delle celle ad alta densità per un basso RDS(ON)
● Commutazione ad alta velocità
I nostri vantaggi
I processi di produzione cinesi hanno subito anni di iterazione, dando vita a tecnologie mature e affidabili. Molte aziende internazionali optano per l’outsourcing della produzione in Cina. In qualità di produttore di componenti elettronici in Cina, i nostri prodotti possono sostituire completamente quelli dei principali marchi internazionali nel 99% delle applicazioni senza la necessità di test di verifica. I nostri prodotti vantano un'elevata coerenza in termini di qualità, prezzi ragionevoli, ampio inventario, fornitura flessibile, tempi di consegna brevi e servizio post-vendita professionale.
Introduzione al prodotto
L'SL4813A è un MOSFET di potenza a canale P. Presenta una tensione di rottura drain-source di -30 V e supporta la commutazione di correnti elevate. Questo dispositivo offre una resistenza di conduzione estremamente bassa a diverse tensioni di pilotaggio gate-source, insieme a parametri di carica totale del gate ottimizzati, raggiungendo prestazioni di commutazione di potenza ad alta efficienza per applicazioni in circuiti di potenza.
Caratteristiche
- MOSFET di potenza a canale P per circuiti di commutazione di potenza ad alta corrente - Tensione di rottura drain-source (BV DSS ): -30 V, garantisce prestazioni di commutazione a tensione negativa stabili - Resistenza allo stato attivo (R DS(on) @ Vgs, Id): 25 mΩ Max @ VGS =-10 V, ID =-7 A; 40 mΩ Max @ VGS =-4.5 V, ID =-5 A. La resistenza di conduzione ultra-bassa riduce la perdita di potenza di conduzione - Tensione di soglia del gate (V GS(th) @ Id=-250 µA): -1.5 V ~ -2.5 V, fornisce una capacità di controllo del gate affidabile - Carica totale del gate (Qg): 28.44 nC, le caratteristiche di carica del gate ottimizzate migliorano le prestazioni di commutazione - La bassa corrente di drain a tensione di gate zero e la bassa corrente di dispersione gate-body minimizzano il consumo di potenza statica
Applicazioni
Il SL4813A è ampiamente utilizzato in scenari di commutazione di potenza ad alta corrente. Grazie alla sua bassissima resistenza di conduzione e alle prestazioni di carica del gate ottimizzate, consente una conversione di potenza ad alta efficienza per la gestione dell'alimentazione, la commutazione del carico e la progettazione di circuiti alimentati a batteria.
Nome
Titolo
Descrizione
Datasheet
Assistenza
Assistenza
Se hai bisogno di supporto tecnico/di progettazione, faccelo sapere compilando il modulo di risposta. Ti ricontatteremo il prima possibile.
Longevità
Il Programma Longevità ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sulla durata prevista di conservazione dei nostri prodotti. Il Programma Longevità viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro team dirigenziale. Consulta il nostro Programma Longevità qui.
2SK3018 MOSFET di potenza a canale N SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W MOSFET di potenza a canale N SOT-323
Brand: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 MOSFET di potenziamento a canale N SOT-523
Brand: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
FDN327N MOSFET di potenza a canale N SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.0A VTH： 0.7V@250uA P/N： N-Channel
FDV301N MOSFET di potenza a canale N SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 25V Id(A)： 0.22A RDSON(Ω)： 4Ω@4.5V,0.4A VTH： 0.8V@250uA P/N： N-Channel
IRLML6401 MOSFET di potenza a canale P SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 1μA RDSON(Ω)： 70mΩ@4.5V VTH： 10V P/N： P-Channel
IRLML6402 MOSFET di potenza a canale P SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -3.7A RDSON(Ω)： 0.05Ω@-4.5V, -3.7A VTH： -0.55V P/N： P-Channel
MOSFET SOT-4606 con potenziamento del canale N+P SL8A
Brand: slkor， Package： SOT-8 VDSS(V)： 30V Id(A)： 6A RDSON(Ω)： 19mΩ@10V,5.6A VTH： 1.5V@250μA P/N： N+P-Channel
MOSFET di potenza a canale N e canale P SL420NPD TO-252-4
Brand: slkor， Package： TO-252-4 VDSS(V)： 40V Id(A)： 1μA VTH： 1.5V P/N： N-Channel and P-Channel
MOSFET di potenza a canale P FDN336P SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -1.3A RDSON(Ω)： 105mΩ@-4.5V,-1.3A VTH： -0.7V@-250uA P/N： P-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
Hai bisogno di aiuto? Scansiona il codice con il tuo telefono per iniziare a chattare su WhatsApp.
Copyright@2025 Tutti i diritti riservati.
Slkor
粤公网安备44030002007346号