Hotline Layanan
● Teknologi MOSFET LV Trench Power
● Desain sel berdensitas tinggi untuk RDS(ON) rendah
● Peralihan Kecepatan Tinggi
Deskripsi
MOSFET Peningkatan Kanal-N FDV305N SOT-23 dirancang untuk menghadirkan peralihan yang andal dan efisien dalam kemasan yang ringkas. Dengan tegangan drain-ke-sumber (Vds) maksimum 20V dan arus drain kontinu (Id) 0.9A, MOSFET ini dirancang untuk menangani kebutuhan daya sedang dengan presisi. Resistansi on-nya yang rendah dan tegangan ambang gerbang yang rendah menjadikannya pilihan ideal untuk berbagai aplikasi elektronik.
Fitur
● Teknologi MOSFET LV Trench Power
● Desain sel dengan kepadatan tinggi untuk R DS(ON) rendah
● Pengalihan Kecepatan Tinggi
Aplikasi
● Perlindungan baterai
● Sakelar beban
● Manajemen daya
Bantuan
Jika Anda memerlukan dukungan desain/teknis, beri tahu kami dan isi Formulir Tanggapan. Kami akan menghubungi Anda sesegera mungkin.
Umur panjang
Program Keberlangsungan Produk bertujuan untuk memberikan informasi kepada pelanggan kami dari waktu ke waktu tentang perkiraan waktu pemesanan produk kami. Program Keberlangsungan Produk ini ditinjau dan diperbarui secara berkala oleh Tim Manajemen Eksekutif kami. Lihat program keberlangsungan produk kami di sini.















