Produk
Produk
FDV305N Peningkatan N-Channel MOSFET SOT-23

● Teknologi MOSFET LV Trench Power

● Desain sel berdensitas tinggi untuk RDS(ON) rendah

● Peralihan Kecepatan Tinggi

Deskripsi
MOSFET Peningkatan Kanal-N FDV305N SOT-23 dirancang untuk menghadirkan peralihan yang andal dan efisien dalam kemasan yang ringkas. Dengan tegangan drain-ke-sumber (Vds) maksimum 20V dan arus drain kontinu (Id) 0.9A, MOSFET ini dirancang untuk menangani kebutuhan daya sedang dengan presisi. Resistansi on-nya yang rendah dan tegangan ambang gerbang yang rendah menjadikannya pilihan ideal untuk berbagai aplikasi elektronik.

Fitur

Teknologi MOSFET LV Trench Power

Desain sel dengan kepadatan tinggi untuk R DS(ON) rendah

Pengalihan Kecepatan Tinggi


Aplikasi

Perlindungan baterai

Sakelar beban

● Manajemen daya


Nama
Judul
Deskripsi
Lembar Data
Dukungan

Bantuan

 

Jika Anda memerlukan dukungan desain/teknis, beri tahu kami dan isi Formulir Tanggapan. Kami akan menghubungi Anda sesegera mungkin.

Umur panjang

 

Program Keberlangsungan Produk bertujuan untuk memberikan informasi kepada pelanggan kami dari waktu ke waktu tentang perkiraan waktu pemesanan produk kami. Program Keberlangsungan Produk ini ditinjau dan diperbarui secara berkala oleh Tim Manajemen Eksekutif kami. Lihat program keberlangsungan produk kami di sini.

whatsapp

Hotline Layanan

tel: +86 755 83044319

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950