servis Hattı
● Trench Power LV MOSFET teknolojisi
● Düşük RDS(ON) için yüksek yoğunluklu hücre tasarımı
● Yüksek Hızlı anahtarlama
Açıklama
FDV305N N-Kanal Geliştirmeli MOSFET SOT-23, kompakt bir pakette güvenilir ve verimli anahtarlama sağlamak üzere tasarlanmıştır. 20 V'luk maksimum drenaj-kaynak gerilimi (Vds) ve 0.9 A'lik sürekli drenaj akımı (Id) ile bu MOSFET, orta düzeydeki güç gereksinimlerini hassasiyetle karşılayacak şekilde tasarlanmıştır. Düşük açık direnci ve düşük kapı eşik gerilimi, onu çeşitli elektronik uygulamalar için ideal bir seçim haline getirir.
Özellikler
● Trench Power LV MOSFET teknolojisi
● Düşük R DS(ON) için yüksek yoğunluklu hücre tasarımı
● Yüksek Hızlı Anahtarlama
Uygulama
● Pil koruması
● Yük anahtarı
● Güç yönetimi
Destek
Tasarım/teknik desteğe ihtiyacınız varsa lütfen bize bildirin ve Yanıt Formunu doldurun. En kısa sürede sizinle iletişime geçeceğiz.
Ömür
Uzun Ömürlülük Programı, müşterilerimize ürünlerimizin ne zaman sipariş edilebileceğine dair zaman zaman bilgi sağlamayı amaçlamaktadır. Uzun Ömürlülük Programı, üst yönetim ekibimiz tarafından düzenli olarak gözden geçirilir ve güncellenir. Uzun Ömürlülük Programımızı buradan inceleyebilirsiniz.















