Ürünler
Ürünler
FDV305N N-Kanal Geliştirme MOSFET SOT-23

● Trench Power LV MOSFET teknolojisi

● Düşük RDS(ON) için yüksek yoğunluklu hücre tasarımı

● Yüksek Hızlı anahtarlama

Açıklama
FDV305N N-Kanal Geliştirmeli MOSFET SOT-23, kompakt bir pakette güvenilir ve verimli anahtarlama sağlamak üzere tasarlanmıştır. 20 V'luk maksimum drenaj-kaynak gerilimi (Vds) ve 0.9 A'lik sürekli drenaj akımı (Id) ile bu MOSFET, orta düzeydeki güç gereksinimlerini hassasiyetle karşılayacak şekilde tasarlanmıştır. Düşük açık direnci ve düşük kapı eşik gerilimi, onu çeşitli elektronik uygulamalar için ideal bir seçim haline getirir.

Özellikler

● Trench Power LV MOSFET teknolojisi

● Düşük R DS(ON) için yüksek yoğunluklu hücre tasarımı

● Yüksek Hızlı Anahtarlama


Uygulama

● Pil koruması

● Yük anahtarı

● Güç yönetimi


İsim
Başlık
Açıklama
Veri Sayfası
Destek

Destek

 

Tasarım/teknik desteğe ihtiyacınız varsa lütfen bize bildirin ve Yanıt Formunu doldurun. En kısa sürede sizinle iletişime geçeceğiz.

Ömür

 

Uzun Ömürlülük Programı, müşterilerimize ürünlerimizin ne zaman sipariş edilebileceğine dair zaman zaman bilgi sağlamayı amaçlamaktadır. Uzun Ömürlülük Programı, üst yönetim ekibimiz tarafından düzenli olarak gözden geçirilir ve güncellenir. Uzun Ömürlülük Programımızı buradan inceleyebilirsiniz.

whatsapp

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950