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FDV305N NチャネルエンハンスメントMOSFET SOT-23
● トレンチパワーLV MOSFETテクノロジー
● 低RDS(ON)を実現する高密度セル設計
●高速スイッチング
詳細説明
FDV305N NチャネルエンハンスメントMOSFET（SOT-23）は、コンパクトなパッケージで信頼性と効率性に優れたスイッチングを実現するように設計されています。最大ドレイン・ソース間電圧（Vds）は20V、連続ドレイン電流（Id）は0.9Aで、中程度の電力要件を高精度に処理できるように設計されています。低いオン抵抗と低いゲート閾値電圧により、様々な電子機器に最適です。
特長
●トレンチパワーLV MOSFETテクノロジー
●低オン抵抗（ RDS(ON)）を実現する高密度セル設計
●高速スイッチング
用途
●バッテリー保護
●負荷スイッチ
● パワーマネジメント
名前
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詳細説明
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サポート
サポート
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耐用性アップ
長寿プログラムとは、お客様に製品のご注文時期に関する情報を随時ご提供することを目的としています。このプログラムは、当社の経営陣によって定期的に見直し、更新されています。長寿プログラムの詳細はこちらをご覧ください。
2SK3018 N チャネル パワー MOSFET SOT-23
ブランド: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W NチャンネルパワーMOSFET SOT-323
ブランド: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 N チャネルエンハンスメント MOSFET SOT-523
ブランド: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
2SK3019 金属酸化物シリコン電界効果トランジスタ
ブランド: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V, 10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
BSN20 NチャネルエンハンスメントMOSFET SOT-23
ブランド: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
BSS205N NチャネルエンハンスメントMOSFET SOT-23
ブランド: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N-Channel
BSS84 P チャネルエンハンスメントモード電界効果トランジスタ SOT-23
ブランド: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P-Channel
FDN302P PチャネルエンハンスメントMOSFET SOT-23
ブランド: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P-Channel
FDN304P PチャネルエンハンスメントMOSFET SOT-23
ブランド: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN306P PチャネルエンハンスメントMOSFET SOT-23
ブランド: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -12V Id(A)： -2.6A RDSON(Ω)： 30mΩ@-4.5V, -2.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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