MOSFET ชนิด N-Channel Enhancement FDV305N ราคาประหยัด สำหรับติดตั้งบน SOT-23

หน้าแรก หมวดหมู่สินค้า อุปกรณ์ไฟฟ้าแยก MOSFET มอสเฟตแรงดันต่ำ

แสดงโมเดล 3 มิติ

FDV305N การเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel MOSFET SOT-23

● เทคโนโลยี Trench Power LV MOSFET

● การออกแบบเซลล์ความหนาแน่นสูงสำหรับ RDS ต่ำ (ON)

● การสลับความเร็วสูง

ดาวน์โหลดเอกสารข้อมูล ปรึกษาออนไลน์

รายละเอียดสินค้า เอกสารผลิตภัณฑ์

รายละเอียด
FDV305N N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23 ออกแบบมาเพื่อการสวิตชิ่งที่เชื่อถือได้และมีประสิทธิภาพในขนาดกะทัดรัด ด้วยแรงดันไฟฟ้าเดรน-ทู-ซอร์สสูงสุด (Vds) ที่ 20V และกระแสเดรนต่อเนื่อง (Id) ที่ 0.9A MOSFET นี้จึงได้รับการออกแบบมาให้รองรับความต้องการพลังงานปานกลางได้อย่างแม่นยำ ความต้านทานต่อการเปิดต่ำและแรงดันเกตต่ำ ทำให้เป็นตัวเลือกที่เหมาะสำหรับการใช้งานอิเล็กทรอนิกส์หลากหลายประเภท

คุณสมบัติ

●เทคโนโลยี MOSFET LV ของ Trench Power

●การออกแบบเซลล์ความหนาแน่นสูงสำหรับค่า R _{DS(ON) ต่ำ}

●การสลับความเร็วสูง

การใช้งาน

●การป้องกันแบตเตอรี่

●สวิตช์โหลด

● การจัดการพลังงาน

ชื่อ

หัวข้อ

คำอธิบาย

FDV305N SOT-23.pdf

เอกสารข้อมูล

การสนับสนุน

Support

หากคุณต้องการความช่วยเหลือด้านการออกแบบ/เทคนิค โปรดแจ้งให้เราทราบและกรอกแบบฟอร์มตอบกลับ เราจะติดต่อกลับคุณโดยเร็วที่สุด

ช่วงชีวิต

โปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้า (Longevity Program) มีจุดประสงค์เพื่อให้ข้อมูลแก่ลูกค้าของเราเป็นระยะๆ เกี่ยวกับระยะเวลาที่คาดว่าจะสามารถสั่งซื้อสินค้าของเราได้ โปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้าได้รับการตรวจสอบและปรับปรุงอย่างสม่ำเสมอโดยทีมผู้บริหารของเรา ดูรายละเอียดโปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้าได้ที่นี่

สายด่วนบริการ

tel: +86 755 83044319

Whatsapp:+8618073002950

ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.

สายผลิตภัณฑ์ของ SLKOR รวมถึงอุปกรณ์แยกส่วน เช่น ไดโอด ทรานซิสเตอร์ อุปกรณ์กำลังไฟฟ้า; และชิปวงจรรวม เช่น ตัวควบคุมเชิงเส้น ชิป DC/DC ชิปอินเทอร์เฟซ เซ็นเซอร์ฮอลล์ ADC และ BMS... เรามีเทคโนโลยีที่สั่งสมมาหลายปีบนเซมิคอนดักเตอร์เฉพาะทาง