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Produtos
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FDV305N MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal N
● Tecnologia Trench Power LV MOSFET
● Design de célula de alta densidade para baixo RDS(ON)
● Comutação de alta velocidade
Descrição
O MOSFET de canal N FDV305N, encapsulamento SOT-23, foi projetado para oferecer comutação confiável e eficiente em um pacote compacto. Com uma tensão máxima de dreno-fonte (Vds) de 20 V e uma corrente de dreno contínua (Id) de 0.9 A, este MOSFET foi projetado para lidar com requisitos de potência moderados com precisão. Sua baixa resistência de condução e baixa tensão de limiar de porta o tornam uma escolha ideal para diversas aplicações eletrônicas.
Diferenciais
● Tecnologia MOSFET de baixa tensão Trench Power
● Design de célula de alta densidade para baixo R DS(ON)
● Comutação de alta velocidade
Aplicação
● Proteção da bateria
● Interruptor de carga
● Gerenciamento de energia
Nome
Título
Descrição
Ficha de dados
Suporte
Suporte
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Longevidade
O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.
2SK3018 MOSFET de potência de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W MOSFET de potência de canal N SOT-323
Marcas: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 MOSFET de aprimoramento de canal N SOT-523
Marcas: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
FDN302P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P-Channel
FDN304P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN306P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -12V Id(A)： -2.6A RDSON(Ω)： 30mΩ@-4.5V, -2.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN327N MOSFET de potência de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.0A VTH： 0.7V@250uA P/N： N-Channel
FDN336P Canal P MOSFET SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -1.3A RDSON(Ω)： 105mΩ@-4.5V,-1.3A VTH： -0.7V@-250uA P/N： P-Channel
FDN337N MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal N
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 2.2A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.2A VTH： 0.9V@250μA P/N： N-Channel
FDN338P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -1.6A RDSON(Ω)： 75mΩ@-4.5V, -1.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
As linhas de produtos da SLKOR incluem dispositivos discretos, como diodos, transistores e dispositivos de potência; e circuitos integrados, como reguladores lineares, conversores DC/DC, chips de interface, sensores Hall, conversores analógico-digitais (ADCs) e sistemas de gerenciamento de bateria (BMS). Possuímos anos de tecnologia acumulada em semicondutores dedicados.
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