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MOSFET di potenziamento a canale N SOT-305 FDV23N

● Tecnologia Trench Power LV MOSFET

● Design delle celle ad alta densità per un basso RDS(ON)

● Commutazione ad alta velocità

Descrizione
Il MOSFET SOT-23 a canale N FDV305N è progettato per offrire una commutazione affidabile ed efficiente in un package compatto. Con una tensione drain-source (Vds) massima di 20 V e una corrente di drain continua (Id) di 0.9 A, questo MOSFET è progettato per gestire con precisione requisiti di potenza moderati. La sua bassa resistenza di conduzione e la bassa tensione di soglia del gate lo rendono la scelta ideale per diverse applicazioni elettroniche.

Caratteristiche

Tecnologia Trench Power LV MOSFET

Progettazione di celle ad alta densità per un basso R DS(ON)

Commutazione ad alta velocità


Applicazione

Protezione della batteria

Interruttore di carico

● Risparmio energetico


Nome
Titolo
Descrizione
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