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Oggi presenteremo il BSS123 Mmedia tensione N-MOSFET a canale di Slkor, quale è fornito in Superficie subminiaturizzata SOT23 pacchetto di montaggio.
Descrizione
Modalità di potenziamento del canale N transistor ad effetto di campo in plastica busta usando 'trincea' tecnologia.
Features
? Tecnologia 'Trench'
? Commutazione estremamente rapida
? Livello logico compatibile
? Montaggio superficiale subminiaturizzato pacchetto
Applicazioni
? Driver relè
? Conducente di linea ad alta velocità
? Suoneria del telefono
Dati di riferimento rapido
| Simbolo | Parametro | Condizioni | Max | Unità |
| VDSS | tensione drain-source | Tamb = 25°C | 100 | V |
| VGS | tensione gate-source | Tamb = 25°C | ± 20 | V |
| ID | assorbire corrente |
Tamb = 25 ° C VGS = 10 V |
150 | A |
| RD Figlio | resistenza allo stato attivo drain-source |
Tj = 25 ° C VGS = 10 V ID= 120 mA |
3.5 | mΩ |
A proposito di Slkor
Con un team d'élite della prestigiosa Università cinese Tsinghua e dell'Università coreana di Seoul Yonsei, Shenzhen Slkor Micro Semicon Co., Ltd. si dedica ai dispositivi di potenza SiC a semiconduttore di terza generazione e ai dispositivi a semiconduttore convenzionali. Siamo forti sulle metodologie pertinenti, sui nuovi materiali, sulle nuove tecnologie e sui nuovi prodotti. I nostri prodotti coprono dispositivi discreti e circuiti integrati, diodi, transistor, dispositivi di alimentazione, chip di gestione dell'alimentazione e chip analogici ecc. Sotto la forte guida di Song Shiqiang, CEO di Slkor, inizia da una casa di progettazione IP, Slkor è ora un impresa high-tech nazionale che copre la ricerca e sviluppo, la produzione e il servizio di vendita di dispositivi a semiconduttore. Slkor fornisce equivalenti nazionali di qualità di semiconduttori dei principali attori internazionali. Per servizi tempestivi, Slkor dispone di due negozi monomarca nella famosa Hardware Valley di Shenzhen Huaqiangbei.




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