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Transistor TrenchMOS a canale N BSS123, FET a livello logico.
2023-06-27 82

Oggi presenteremo il BSS123 Mmedia tensione N-MOSFET a canale di Slkor, quale è fornito in Superficie subminiaturizzata SOT23 pacchetto di montaggio.


Descrizione

Modalità di potenziamento del canale N transistor ad effetto di campo in plastica busta usando 'trincea' tecnologia.

Features

? Tecnologia 'Trench'

? Commutazione estremamente rapida 

? Livello logico compatibile

? Montaggio superficiale subminiaturizzato pacchetto

Applicazioni

? Driver relè

? Conducente di linea ad alta velocità

? Suoneria del telefono

Dati di riferimento rapido

Simbolo Parametro Condizioni Max Unità
VDSS tensione drain-source Tamb = 25°C 100 V
VGS tensione gate-source Tamb = 25°C ± 20 V
ID assorbire corrente Tamb = 25 ° C
V
GS = 10 V
150 A
RD Figlio resistenza allo stato attivo drain-source Tj = 25 ° C
V
GS = 10 V
I
D= 120 mA
3.5 mΩ


A proposito di Slkor

Con un team d'élite della prestigiosa Università cinese Tsinghua e dell'Università coreana di Seoul Yonsei, Shenzhen Slkor Micro Semicon Co., Ltd. si dedica ai dispositivi di potenza SiC a semiconduttore di terza generazione e ai dispositivi a semiconduttore convenzionali. Siamo forti sulle metodologie pertinenti, sui nuovi materiali, sulle nuove tecnologie e sui nuovi prodotti. I nostri prodotti coprono dispositivi discreti e circuiti integrati, diodi, transistor, dispositivi di alimentazione, chip di gestione dell'alimentazione e chip analogici ecc. Sotto la forte guida di Song Shiqiang, CEO di Slkor, inizia da una casa di progettazione IP, Slkor è ora un impresa high-tech nazionale che copre la ricerca e sviluppo, la produzione e il servizio di vendita di dispositivi a semiconduttore. Slkor fornisce equivalenti nazionali di qualità di semiconduttori dei principali attori internazionali. Per servizi tempestivi, Slkor dispone di due negozi monomarca nella famosa Hardware Valley di Shenzhen Huaqiangbei.


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