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MOSFET di potenza a canale N BSS138 SOT-23
● Design salvaspazio.
● Funzionamento efficiente.
● Ideale per applicazioni di commutazione di piccoli segnali.
Descrizione
Il MOSFET a media tensione BSS138 è un MOSFET a canale N con una tensione drain-source (Vdss) di 50 V, una corrente di drain continua (Id) di 220 mA e una dissipazione di potenza (Pd) di 225 mW. La sua resistenza di conduzione (RDS(on) @ Vgs, Id) è di 3.5 Ω a 10 V, 220 mA, e la sua tensione di soglia (Vgs(th) @ Id) è di 1.6 V a 1 mA. Il dispositivo è offerto in un package SOT-23.
Caratteristiche
● La tensione drain-source (Vdss) è di 50 V, adatta per applicazioni a media tensione.
● La corrente di scarico continua (Id) è di 220 mA, il che lo rende adatto per applicazioni a bassa potenza.
● La dissipazione di potenza (Pd) è di 225 mW, offrendo buone prestazioni termiche.
● La resistenza di conduzione (RDS(on) @ Vgs, Id) è 3.5 Ω a 10 V, 220 mA, garantendo una bassa resistenza di conduzione.
● La tensione di soglia (Vgs(th) @ Id) è 1.6 V a 1 mA, consentendo il funzionamento in condizioni di azionamento a bassa tensione.
Applicazione
Il MOSFET a media tensione BSS138 è adatto per l'uso in circuiti di commutazione, circuiti di azionamento di potenza e altre applicazioni in sistemi a media tensione. Può essere utilizzato anche in circuiti a bassa tensione e bassa potenza per la regolazione del livello di tensione, la gestione dell'alimentazione, gli amplificatori audio e applicazioni simili.
Nome
Titolo
Descrizione
Scheda tecnica
Supporto
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Longevità
Il Programma Longevità ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sulla durata prevista di conservazione dei nostri prodotti. Il Programma Longevità viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro team dirigenziale. Consulta il nostro Programma Longevità qui.
2N7002 MOSFET di potenziamento a canale N SOT-23
Marca: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 115mA RDSON(Ω)： 7.5Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002E MOSFET di potenziamento a canale N SOT-23
Marca: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002K MOSFET di potenza a canale N SOT-23
Marca: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 0.3A RDSON(Ω)： 2Ω@10V,0.3A VTH： 1.5V@250uA P/N： N-channel
2N7002KDW MOSFET di potenza a canale N SOT-363
Marca: slkor， Package： SOT-363 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 5Ω@10V VTH： 2.5V@1mA P/N： N-channel
2N7002KT MOSFET di potenza a canale N TO-523
Marca: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： 60V Id(A)： 1A RDSON(Ω)： 2.5Ω@10V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-channel
2N7002KW MOSFET di potenza a canale N SOT-323
Marca: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 1.1Ω@4.5V,200mA VTH： 1V@1mA P/N： N-Channel
2N7002T MOSFET di potenza a canale N SOT-523
Marca: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 3V@250μA P/N： N-Channel
IRF640 Alimentazione a canale N TO-220
Marca: slkor， Package： TO-220 VDSS(V)： 200V Id(A)： 18A RDSON(Ω)： 150mΩ@10V,11A VTH： 3V@250uA P/N： N-channel
IRF7341 MOSFET di potenza a canale N SOP-8
Marca: slkor， Package： SOP-8 VDSS(V)： 60V Id(A)： 5A RDSON(Ω)： 30mΩ@10V,4A VTH： 2.5V@250uA P/N： N-channel
IRFR5305 MOSFET di potenza a canale P in contenitore TO-252
Marca: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： -60V Id(A)： -30A RDSON(Ω)： 26mΩ@-10V,-15A VTH： -1.8V@-250μA P/N： P-channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Le linee di prodotto di SLKOR includono dispositivi discreti, come diodi, transistor, dispositivi di potenza; e chip a circuito integrato, come regolatori lineari, chip DC/DC, chip di interfaccia, sensori Hall, ADC e BMS... Abbiamo anni di tecnologia accumulata sui semiconduttori dedicati.
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