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Transistor bipolare BCP68-25 NPN SOT-223
Il BCP68-25 è un transistor a giunzione bipolare NPN ad alte prestazioni progettato per commutazione e amplificazione efficienti nei circuiti elettronici. Presenta una tensione massima collettore-emettitore (Vceo) di 20 V e una corrente di collettore (Ic) nominale di 1 A, che lo rende adatto per applicazioni a potenza medio-bassa. Con una dissipazione di potenza (Pd) di 1.35 W e una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat)) di 500 mV a 1 A, 100 mA, il BCP68-25 garantisce una perdita di potenza minima e un funzionamento efficiente in design compatti. La sua frequenza di transizione (fT) di 100 MHz consente un'elaborazione affidabile del segnale ad alta frequenza.
I nostri vantaggi :
I processi di produzione cinesi hanno subito anni di iterazione, dando vita a tecnologie mature e affidabili. Molte aziende internazionali optano per l’outsourcing della produzione in Cina. In qualità di produttore di componenti elettronici in Cina, i nostri prodotti possono sostituire completamente quelli dei principali marchi internazionali nel 99% delle applicazioni senza la necessità di test di verifica. I nostri prodotti vantano un'elevata coerenza in termini di qualità, prezzi ragionevoli, ampio inventario, fornitura flessibile, tempi di consegna brevi e servizio post-vendita professionale.
Descrizione:
Il BCP68-25 è un transistor a giunzione bipolare NPN ad alte prestazioni progettato per commutazione e amplificazione efficienti nei circuiti elettronici. Presenta una tensione massima collettore-emettitore (Vceo) di 20 V e una corrente di collettore (Ic) nominale di 1 A, che lo rende adatto per applicazioni a potenza medio-bassa. Con una dissipazione di potenza (Pd) di 1.35 W e una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat)) di 500 mV a 1 A, 100 mA, il BCP68-25 garantisce una perdita di potenza minima e un funzionamento efficiente in design compatti. La sua frequenza di transizione (fT) di 100 MHz consente un'elaborazione affidabile del segnale ad alta frequenza.
Caratteristiche:
lBassa tensione (max.20 V).
lCorrente elevata (max. 1 A).
Applicazioni :
l Commutazione e amplificazione per uso generale in condizioni di corrente elevata.
Nome
Titolo
Extension
Descrizione
Datasheet
Assistenza
Assistenza
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Longevità
Il Programma Longevità ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sulla durata prevista di conservazione dei nostri prodotti. Il Programma Longevità viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro team dirigenziale. Consulta il nostro Programma Longevità qui.
13001 Transistor bipolare NPN SOT-23
Brand: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
13001S Transistor bipolare NPN TO-92
Brand: slkor， VCEO(V)： 450V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 400mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 200mA
2SA1015-B Transistor bipolare PNP TO-92
Brand: slkor，
2SA1037-R Transistor bipolare PNP SOT-23
Brand: slkor，
2SA1661-Y Transistor bipolare PNP SOT-89
Brand: slkor，
2SB1261 Transistor bipolare PNP
Brand: slkor， VCEO(V)： 60V PD(W)(PD(W))： 10W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： - Package(Package)： TO-252 IC(A)(IC(A))： 3A
2SC1623 Transistor bipolare NPN SOT-23
Brand: slkor，
2SC1815 Transistor planare epitassiale al silicio TO-92
Brand: slkor， VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 400mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 250mV fT(MHz)(fT(MHz))： 80MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 150mA
2SC2078 Transistor bipolare NPN TO-220
Brand: slkor，
2SC2383 Transistor bipolare NPN SOT-89
Brand: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1.5V fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 1A
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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