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BCP68-25 NPN-Bipolartransistor SOT-223
Der BCP68-25 ist ein leistungsstarker NPN-Bipolartransistor, der für effizientes Schalten und Verstärken in elektronischen Schaltkreisen entwickelt wurde. Er verfügt über eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) von 20 V und einen Kollektorstrom (Ic) von 1 A, wodurch er für Anwendungen mit geringer bis mittlerer Leistung geeignet ist. Mit einer Verlustleistung (Pd) von 1.35 W und einer niedrigen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) von 500 mV bei 1 A, 100 mA sorgt der BCP68-25 für minimalen Leistungsverlust und effizienten Betrieb in kompakten Designs. Seine Übergangsfrequenz (fT) von 100 MHz ermöglicht eine zuverlässige Hochfrequenz-Signalverarbeitung.
Unsere Vorteile :
Chinesische Herstellungsprozesse wurden jahrelang iteriert, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien führte. Viele internationale Konzerne entscheiden sich für die Auslagerung der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte in 99 % der Anwendungen die Produkte großer internationaler Marken vollständig ersetzen, ohne dass eine Testverifizierung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonstanz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Lieferung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Beschreibung:
Der BCP68-25 ist ein leistungsstarker NPN-Bipolartransistor, der für effizientes Schalten und Verstärken in elektronischen Schaltkreisen entwickelt wurde. Er verfügt über eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) von 20 V und einen Kollektorstrom (Ic) von 1 A, wodurch er für Anwendungen mit geringer bis mittlerer Leistung geeignet ist. Mit einer Verlustleistung (Pd) von 1.35 W und einer niedrigen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) von 500 mV bei 1 A, 100 mA sorgt der BCP68-25 für minimalen Leistungsverlust und effizienten Betrieb in kompakten Designs. Seine Übergangsfrequenz (fT) von 100 MHz ermöglicht eine zuverlässige Hochfrequenz-Signalverarbeitung.
Eigenschaften:
lNiederspannung (max. 20 V).
lHoher Strom (max. 1 A).
Anwendungsbereiche :
l Universell einsetzbares Schalten und Verstärken unter hohen Strombedingungen.
Name
Titel
Extension
Beschreibung
Datenblatt
Unterstützung
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.
13001 NPN-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
13001S NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor， VCEO(V)： 450V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 400mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 200mA
2N2222A NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor，
2N3904 NPN BJT Transistor TO-92
Marke: slkor，
2N3906 NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor，
2N5401 PNP-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 600mA
2N5551 NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 600mA
2SA1015-B PNP-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor，
2SA1037-R PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor，
2SA1162-Y PNP-Bipolartransistor
Marke: slkor，
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Das Produktsortiment von SLKOR umfasst diskrete Bauelemente wie Dioden, Transistoren und Leistungshalbleiter sowie integrierte Schaltkreise wie Linearregler, DC/DC-Wandler, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS. Wir verfügen über jahrelange Erfahrung in der Halbleitertechnik.
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