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SL18N20 MOSFET di potenza a canale N TO-220-3L

● Gestione di correnti elevate

● Capacità ad alta tensione

● Bassa resistenza di conduzione e alta dissipazione di potenza

Descrizione

● SL18N20 è un VDMOSFET a canale N in silicio, ottenuto tramite la tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliora le prestazioni di commutazione e aumenta l'energia di valanga. Il transistor può essere utilizzato in vari circuiti di commutazione di potenza per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza.

Caratteristiche

● VDS= 200V ID=18A

● RDS(ON)< 150mΩ@ VGS=10V (Tipo: 120mΩ)


Applicazione

● Gruppo di continuità (UPS)

● Correzione del fattore di potenza (PFC)






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