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MOSFET di potenziamento a canale N SL8N65F TO-220F
● Commutazione rapida
● Bassa resistenza di accensione
● Bassa carica di gate
Descrizione
Il nostro MOSFET a canale N è progettato per fornire prestazioni affidabili in ambienti ad alta tensione. Con una tensione drain-source massima di 650 V, è ideale per applicazioni di commutazione ad alta tensione. Il dispositivo presenta una bassa resistenza di conduzione di 1.1 Ω (a Vgs = 10 V e Id = 3.5 A), garantendo una perdita di potenza minima e un funzionamento efficiente. Inoltre, ha una capacità di dissipazione di potenza totale di 30 W, che gli consente di gestire una potenza significativa senza surriscaldarsi.
Caratteristiche
● Commutazione rapida
● Bassa resistenza di accensione
● Tariffa d'ingresso ridotta
● Test dell'energia da valanga al 100% a impulso singolo
Applicazione
● Circuiti di alimentazione: commutazione efficiente nei convertitori e nei regolatori di potenza.
● Azionamenti per motori: controllo affidabile dei motori a corrente continua nell'elettronica industriale e di consumo.
● Regolatori di commutazione: prestazioni ad alta efficienza nei convertitori step-up e step-down.
● Sistemi inverter: Adatti per impianti fotovoltaici e sistemi di alimentazione ininterrotta (UPS).
● Controllo dell'illuminazione: efficace per applicazioni di commutazione e regolazione nei sistemi di illuminazione a LED.
Nome
Titolo
Descrizione
Scheda tecnica
Supporto
Assistenza
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Longevità
Il Programma Longevità ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sulla durata prevista di conservazione dei nostri prodotti. Il Programma Longevità viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro team dirigenziale. Consulta il nostro Programma Longevità qui.
MOSFET di potenziamento a canale N SL13N45F TO-220F
Marca: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 450V Id(A)： 13A RDSON(Ω)： 470mΩ@10V,5.5A VTH： 4V@250uA P/N： N-Channel
SL10N65F MOSFET di potenza a canale N TO-220F
Marca: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 10A RDSON(Ω)： 940mΩ@10V,5A VTH： 4.5V@250A P/N： N-Channel
SL11N65CD MOSFET di potenza a canale N TO-252
Marca: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： 650V Id(A)： 11A RDSON(Ω)： 318mΩ@10V,4.0A VTH： 4.5V@0.8mA P/N： N-Channel
SL11N65CF1 MOSFET di potenza a canale N TO-220F
Marca: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 11A RDSON(Ω)： 318mΩ@10V,4.0A VTH： 4.5V@250μA P/N： N-Channel
SL12N100 MOSFET di potenza a canale N TO-220
Marca: slkor， Package： TO-220 VDSS(V)： 1000V Id(A)： 12A RDSON(Ω)： 1.0Ω@10V,6A VTH： 5.0V@250μA P/N： N-Channel
SL12N100T MOSFET di potenza a canale N TO-247
Marca: slkor， Package： TO-247 VDSS(V)： 1000V Id(A)： 12A RDSON(Ω)： 1.0Ω@10V,6A VTH： 5.0V@250μA P/N： N-Channel
SL12P03S MOSFET di potenza a canale P SOP-8
Marca: slkor， Package： SOP-8 VDSS(V)： -30V Id(A)： -12A RDSON(Ω)： 24mΩ@-4.5V,-5A VTH： -1.6V@-250μA P/N： P-Channel
SL13N50FS MOSFET di potenziamento a canale N TO-220F
Marca: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 500V Id(A)： 13A RDSON(Ω)： 520mΩ@10V,6.5A VTH： 4V@250μA P/N： N-Channel
SL15N60CF MOSFET di potenza a canale N TO-220F
Marca: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 15A RDSON(Ω)： 238mΩ@10V,7.5A VTH： 4.5V@250μA P/N： N-Channel
SL15N65CD MOSFET di potenza a canale N TO-252
Marca: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： 650V Id(A)： 15A RDSON(Ω)： 238mΩ@10V,7.5A VTH： 4.5V@250μA P/N： N-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Le linee di prodotto di SLKOR includono dispositivi discreti, come diodi, transistor, dispositivi di potenza; e chip a circuito integrato, come regolatori lineari, chip DC/DC, chip di interfaccia, sensori Hall, ADC e BMS... Abbiamo anni di tecnologia accumulata sui semiconduttori dedicati.
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