Service-Hotline
● Schnelles Umschalten
● Niedriger Einschaltwiderstand
● Niedrige Gate-Ladung
Beschreibung
Unser N-Kanal-MOSFET ist für robuste Leistung in Hochspannungsumgebungen ausgelegt. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 650 V eignet er sich hervorragend für Hochspannungsschaltanwendungen. Das Gerät verfügt über einen niedrigen Einschaltwiderstand von 1.1 Ω (bei Vgs = 10V und Id = 3.5 A), was minimalen Leistungsverlust und effizienten Betrieb gewährleistet. Darüber hinaus verfügt es über eine Gesamtleistungsableitungskapazität von 30 W, sodass es erhebliche Leistungen verarbeiten kann, ohne zu überhitzen.
Eigenschaften
● Schnelles Umschalten
● Niedriger Einschaltwiderstand
● Niedrige Gate-Ladung
● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
Anwendung
● Stromversorgungsschaltungen: Effizientes Schalten in Stromrichtern und Reglern.
● Motorantriebe: Zuverlässige Steuerung von Gleichstrommotoren in der Industrie- und Unterhaltungselektronik.
● Schaltregler: Hocheffiziente Leistung in Aufwärts- und Abwärtswandlern.
● Wechselrichtersysteme: Geeignet für Photovoltaik- und unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV).
● Lichtsteuerung: Effektiv für Schalt- und Dimm-Anwendungen in LED-Beleuchtungssystemen.
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.















