Linea diretta di assistenza
● Dispositivo verde disponibile
● Confezione eccellente per una buona dissipazione del calore
● Tecnologia avanzata di trincee ad alta densità cellulare per RDS(ON) estremamente basso
Descrizione
Questo MOSFET a canale P utilizza una tecnologia e un design trench avanzati per fornire un eccellente RDS(on) con una bassa carica di gate. Può essere utilizzato in un'ampia varietà di applicazioni.
Caratteristiche
● VDS=-100V,ID=-20A,RDS(ON)<90mΩ@VGS=-10V
● Bassa carica di gate.
● Dispositivo ecologico disponibile.
● Tecnologia avanzata di trincea ad alta densità cellulare per RDS(ON) ultra basso.
● Ottimo involucro per una buona dissipazione del calore.
Assistenza
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Longevità
Il Programma Longevità ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sulla durata prevista di conservazione dei nostri prodotti. Il Programma Longevità viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro team dirigenziale. Consulta il nostro Programma Longevità qui.















