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MOSFET de potência de canal P IRF9540 TO-220

● Dispositivo ecológico disponível

● Excelente embalagem para boa dissipação de calor

● Tecnologia avançada de trincheiras de alta densidade celular para RDS(ON) ultrabaixo

Descrição

Este MOSFET de canal P usa tecnologia e design avançados de trincheira para fornecer excelente RDS(on) com baixa carga de porta. Ele pode ser usado em uma ampla variedade de aplicações.


Diferenciais

● VDS=-100V, ID=-20A, RDS(ON)<90mΩ@VGS=-10V

● Taxa de entrada baixa.

● Dispositivo ecológico disponível.

● Tecnologia avançada de trincheiras de alta densidade celular para RDS(ON) ultrabaixo.

● Excelente embalagem para boa dissipação de calor.






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