Service Hotline
● Dispositivo ecológico disponível
● Excelente embalagem para boa dissipação de calor
● Tecnologia avançada de trincheiras de alta densidade celular para RDS(ON) ultrabaixo
Descrição
Este MOSFET de canal P usa tecnologia e design avançados de trincheira para fornecer excelente RDS(on) com baixa carga de porta. Ele pode ser usado em uma ampla variedade de aplicações.
Diferenciais
● VDS=-100V, ID=-20A, RDS(ON)<90mΩ@VGS=-10V
● Taxa de entrada baixa.
● Dispositivo ecológico disponível.
● Tecnologia avançada de trincheiras de alta densidade celular para RDS(ON) ultrabaixo.
● Excelente embalagem para boa dissipação de calor.
Suporte
Se precisar de suporte técnico/de design, informe-nos preenchendo o Formulário de Resposta. Entraremos em contato o mais breve possível.
Longevidade
O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.















