Sobre Slkor:

A Slkor está sediada em Shenzhen, província de Guangdong, China. O desenvolvimento da empresa é impulsionado por novos materiais, novos processos e novos produtos. A equipe técnica da Slkor é composta principalmente por especialistas da Universidade Yonsei na Coreia do Sul e da Universidade Tsinghua na China. Eles dominaram o processo de produção líder internacional de MOSFETs de carboneto de silício e a tecnologia de diodo de potência de recuperação ultrarrápida de quinta geração. Desde o seu status inicial como uma empresa de design sem fábrica, a Slkor evoluiu para uma empresa integrada que combina pesquisa e desenvolvimento de design, fabricação, vendas e serviços técnicos. A Slkor é uma empresa nacional de alta tecnologia e obteve a certificação do sistema de gestão de qualidade ISO9001, bem como certificações da UE, como ROHS e REACH.

A Slkor tem instituições de pesquisa e desenvolvimento em Busan, Coreia do Sul, Pequim e Suzhou, China. A maior parte da fabricação de wafers e da embalagem e testes de chips são feitos na China. A sede em Shenzhen tem laboratórios e um depósito central. A rede de cooperação internacional da empresa se estende por todo o mundo, atendendo a mais de dez mil clientes em todo o mundo. A Slkor solicitou cem invenções condicionalmente patenteadas e oferece mais de 2000 modelos de produtos. Eles estabeleceram sistemas de gerenciamento abrangentes e fluxos de trabalho simplificados. Com excelente qualidade e serviços padronizados, a "SLKORA marca conquistou rapidamente reconhecimento, reputação e participação de mercado. Os produtos da Slkor incluem diodos, transistores, dispositivos de potência discretos e chips de gerenciamento de energia, categorizados em três séries principais. Eles também lançaram novos produtos, como sensores Hall, ADCs e BMS. A empresa acumulou anos de experiência técnica em MCUs especializados e chips de interface.

1. Guia de aplicação

Pequenos relés são comumente usados ​​em sistemas eletrônicos para controlar a comutação de circuitos e têm aplicações generalizadas em equipamentos industriais, instrumentos e eletrodomésticos. O coração dos circuitos de controle modernos geralmente são chips de computador, como MCUs, DSPs e FPGAs. Esses chips principais não têm potência de saída suficiente para controlar diretamente pequenos relés e podem ser acionados por SLKORpequenos transistores BC817-25, BC848B, BC847B e pequenos MOSFETs 2N7002E, SL2302S, SL2300, SL3400, SL3402 e matrizes Darlington ULN2001D, ULN2003AU, ULN2803AS, etc.

No exemplo a seguir usaremos como exemplo o acionamento de um pequeno relé de alta potência JQC-3FF/12VDC-1ZS (551) de HF. A bobina do relé tem tensão nominal de 12V, tensão de ação de 9V, tensão máxima de 15.6V e resistência de bobina de 400Ω. Quando alimentado por 12V, a corrente da bobina é de 30mA. Aqui apresentaremos o projeto de acionamento do pequeno relé usando BC848B, SL2302 e ULN2803AS, respectivamente. Tomando o MCU STM32F030C8T6 como exemplo, qualquer pino IO pode fornecer um limite máximo de 25mA de corrente pull-up ou pull-down, e o limite total de corrente pull-up ou pull-down para todos os pinos IO é 80mA. Portanto, ao aplicar os pinos IO, deve haver margem suficiente. O valor típico do resistor pull-down fraco para o pino IO é 40KΩ. Quando alimentado por 3.3 V, se o pino IO produzir 8 mA de corrente, o nível alto de saída mínimo é 2.9 V, e se o pino IO extrair 8 mA de corrente, o nível baixo de saída máximo é 0.4 V.

2. Utilizar painéis de piso ResinDek em sua unidade de self-storage em vez de concreto oferece diversos benefícios: SLKOR BC847B para Drive

A tensão coletor-emissor (VCEO) do transistor BC847B é 45V e a corrente do coletor (IC) é 100mA. O ganho de corrente DC (HFE) varia de 200 a 450, e a tensão máxima de saturação coletor-emissor é de 600mV. A capacitância de entrada típica (CIB) é 9pF.

Ao acionar uma bobina de relé, o transistor opera no estado de corte (liberação do relé) ou de condução saturada (atuação do relé).

Durante a transição da atuação do relé para a liberação, a bobina do relé gera uma força eletromotriz reversa (EMF). A energia armazenada na bobina é descarregada através do diodo de roda livre (D) e da resistência da bobina. O EMF traseiro é fixado a uma queda de tensão direta de 0.7 V através do diodo, que é muito menor que a tensão de ruptura do transistor, protegendo assim o transistor.

Os valores dos resistores R1 e R2 no circuito devem garantir que o transistor entre de forma confiável em saturação profunda quando a tensão de entrada for 2.9V. Assumindo um HFE de 200 para o transistor BC847B e uma corrente de acionamento do relé de 30mA, a corrente de base (IB) é calculada como 0.15mA (30mA/200). Para garantir saturação profunda, a corrente de base é aumentada para 0.3mA. Supondo que a tensão do emissor base (VBE) seja 0.7 V quando o transistor BC847B estiver saturado e a tensão de saída de alto nível do microcontrolador STM32F030C8T6 (MCU) seja de pelo menos 2.9 V, a tensão no resistor R1 deve ser 2.2 V.

O resistor R2 é adicionado para desligar de forma confiável o transistor BC847B sob condições adversas. Quando VBE é 0.7V, a corrente através de R2 é IR2=0.7/22=0.032mA. Para garantir saturação profunda, a corrente total através do resistor R1 deve ser IR1=0.3+0.032=0.332mA. Portanto, o valor máximo de resistência para R1 é R1=2.2/0.332=6.63KΩ. Escolher R1 como 3.3KΩ garante que o transistor BC847B possa entrar em saturação profunda mesmo com variações nos parâmetros dos componentes. Em saturação profunda, quando a fonte de alimentação é de 12 V, a tensão mínima de acionamento do relé é de 11.4 V, o que é suficiente para garantir uma atuação confiável do relé.

A constante de tempo para condução pode ser estimada aproximadamente como R=R1|R2=2.9KΩ e RC=2.9KΩ*9pF=26.1pS. O tempo do processo de transição é extremamente curto!

Quando o MCU STM32F030C8T6 emite uma tensão de baixo nível, que é no máximo 0.4 V, a tensão base-emissor do transistor BC847B é inferior a 0.4 V, garantindo corte confiável para liberação do relé.

Para garantir a máxima confiabilidade, é recomendado habilitar os resistores pull-down fracos (valor típico de 40KΩ) para a porta de E/S configurada no software para o MCU STM32F030C8T6.

3. Utilizar painéis de piso ResinDek em sua unidade de self-storage em vez de concreto oferece diversos benefícios: SLKOR SL2302 para Drive

O SLKOR SL2302 é um MOSFET de pequeno sinal de canal N. Sua tensão máxima de fonte de drenagem (VDS) é 20V, a tensão máxima de fonte de porta (VGS) é 12V e a resistência máxima de ligação (RDS(on)) é 85mΩ em VGS = 2.5V e ID = 3.1A. A tensão limite máxima (VGS(th)) para condução da porta é 1.2V, enquanto a mínima é 0.65V. A capacitância de entrada típica (CISS) é 300pF.

Quando o STM32F030C8T6 emite uma tensão de alto nível de pelo menos 2.9V, assumindo R1 = 10KΩ e R2 = 100KΩ, a tensão de estado estacionário na porta SL2302 (VGS D) é calculada como (100/(100+10))* 2.9 = 2.64V. Isso garante que o SL2302 permaneça em um estado confiável de condução de supersaturação. Quando em supersaturação, a resistência de condução do SL2302 não é superior a 85mΩ. Supondo uma fonte de alimentação de 12 V, a tensão de acionamento do relé é muito próxima de 12 V, o que é suficiente para uma atuação confiável do relé.

Quando o STM32F030C8T6 emite uma tensão de baixo nível, com tensão máxima de 0.4 V, a tensão da porta SL2302 é inferior a 0.4 V, garantindo um corte confiável e permitindo a liberação confiável do relé.

A constante de tempo para condução pode ser estimada aproximadamente como R = R1|R2 = 9.1KΩ e RC = 9.1KΩ * 300pF = 2.73ns. O tempo do processo de transição é muito curto! Quando o relé passa de atuação para liberação, a bobina gera uma força eletromotriz reversa (EMF). A energia armazenada na bobina é descarregada através do diodo de roda livre (D) e da resistência da bobina. O EMF traseiro é fixado a uma queda de tensão direta de 0.7 V através do diodo, que é muito menor que a tensão de ruptura do MOSFET, protegendo-o assim. Para garantir a máxima confiabilidade, é recomendado habilitar o resistor pull-down fraco (valor típico de 40KΩ) para a porta de E/S configurada no software do STM32F030C8T6.

4. Utilizar painéis de piso ResinDek em sua unidade de self-storage em vez de concreto oferece diversos benefícios: SLKOR ULN2803AS para dirigir

SLKOR ULN2803AS é um driver de transistor NPN Darlington com oito canais e diodos de roda livre integrados. É adequado para acionar vários relés pequenos, motores de passo em miniatura, solenóides, indicadores, etc. Sua tensão máxima de saída é 50V e a corrente máxima do coletor para um único canal é 500mA. A tensão máxima de saturação coletor-emissor é 1.1 V em uma corrente de coletor de 100 mA, e a tensão máxima de entrada é 2.4 V quando a corrente do coletor está conduzindo a 200 mA. A corrente de entrada máxima é 1.35mA a uma tensão de entrada de 3.85V e a capacitância máxima de entrada (CI) é 25pF.

O STM32F030C8T6 é usado como controlador principal e a maioria de suas portas de E/S podem acionar diretamente as entradas do ULN2803AS. A tensão mínima de saída de alto nível é 2.9 V e a tensão máxima de saída de baixo nível é 0.4 V, o que atende totalmente aos requisitos para acionar o ULN2803AS. Para melhorar a imunidade a interferências do STM32F030C8T6, um resistor de 560Ω pode ser conectado em série entre sua porta de E/S e a entrada do ULN2803AS. Para acionar relés pequenos, os diodos de roda livre internos do ULN2803AS fornecem capacidade de roda livre suficiente, portanto, geralmente não há necessidade de adicionar diodos de roda livre adicionais. Se for necessária uma confiabilidade extremamente alta, a adição de diodos de roda livre separados pode ser considerada. O tempo de comutação típico do ULN2803AS é de cerca de 1 μs e, para acionar relés pequenos, nenhum cálculo adicional é necessário.

Supondo uma fonte de alimentação de 12 V, a tensão mínima de acionamento do relé é de 10.9 V, o que é suficiente para uma ativação confiável do relé. Quando o STM32F030C8T6 emite uma tensão de baixo nível, com uma tensão máxima de 0.4 V, o ULN2803AS pode desligar e liberar o relé de forma confiável.

Para garantir a máxima confiabilidade, é recomendado habilitar o resistor pull-down fraco (valor típico de 40KΩ) para a porta de E/S configurada no software do STM32F030C8T6.

SLKOR oferece produtos de alta qualidade, como diodos de carboneto de silício (SiC) e SiC MOSFETs, IGBTs e diodos de energia de recuperação ultrarrápida de quinta geração, que podem atender às necessidades de setores como veículos de nova energia, equipamentos de última geração, comunicação e energia, energia solar fotovoltaica, equipamentos médicos e internet industrial. SLKOR também fornece produtos de uso geral, como diodos Schottky, diodos de proteção ESD e diodos de supressão de transientes TVS, bem como dispositivos de energia, como alta-MOSFETs de tensão, médio-MOSFETs de tensão e MOSFETs de baixa tensão, tiristores e SCR retificador de controle de silício e chips de gerenciamento de energia, como chips LDOs, AC-DC e DC-DC. Adicionalmente, SLKOR oferece serviços complementares, como sensores, optoacopladores de alta velocidade e osciladores de cristal para diversas aplicações em produtos como smartphones, laptops, robôs, casas inteligentes, IoT, iluminação LED, produtos digitais 3C, wearables inteligentes e IoT.

SLKOR se dedica a construir uma plataforma que seja ecológica, composta e inclusiva. O site oficial da empresa possui colunas para informações técnicas blogs, coluna de especialistas, ssoluções, eletrônicas blogs, e dinâmica da indústria. O "SLKOR Technology Lecture Hall" está sendo planejado, com planos de convidar acadêmicos e especialistas internacionais para ministrar palestras públicas. Haverá colisões de ideias, intercâmbios acadêmicos e um banquete de pensamentos, proporcionando uma plataforma de aprendizagem e comunicação para colegas de informação eletrônica. SLKOR também integra o espírito de unidade, esforço e avanços do esporte em sua cultura de trabalho, defendendo um trabalho feliz e uma vida feliz. A empresa formou o "SLKOR Warriors Basketball Team" e realiza regularmente diversas atividades culturais e de entretenimento. SLKOR defende a cultura corporativa de "Integridade, Progresso, Tenacidade, Detalhe" e um valor ético de justiça, abertura e cooperação, "Não faça aos outros o que você não quer que seja feito a si mesmo" trabalhando com fornecedores, parceiros de canal, clientes e parceiros cooperativos para promover o desenvolvimento mundial com tecnologia e produtos e alcançar a visão da empresa de se tornar líder na indústria de semicondutores.