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Diodos de comutação BAS321 SOD-323
Este diodo de alto desempenho apresenta uma classificação de tensão reversa de 250 V, tornando-o adequado para lidar com operações de alta tensão, mantendo confiabilidade superior. O dispositivo possui uma baixa queda de tensão direta de 1 V e uma corrente de fuga reversa ultrabaixa de apenas 0.1 μA, garantindo perda mínima de energia e eficiência aprimorada. Com um tempo de recuperação reversa rápido de 50 ns, este diodo é ideal para aplicações de comutação de alta velocidade.
DIODO DE COMUTAÇÃO RÁPIDA
Nossas vantagens
Os processos de fabricação chineses passaram por anos de iteração, resultando em tecnologias maduras e confiáveis. Muitas empresas internacionais optam pela terceirização da produção na China. Como fabricante de componentes eletrônicos na China, nossos produtos podem substituir totalmente os das principais marcas internacionais em 99% das aplicações, sem a necessidade de verificação de testes. Nossos produtos apresentam alta consistência em qualidade, preços razoáveis, amplo estoque, fornecimento flexível, prazos de entrega curtos e serviço pós-venda profissional.
Descrição
Este diodo de alto desempenho apresenta uma classificação de tensão reversa de 250 V, tornando-o adequado para lidar com operações de alta tensão, mantendo confiabilidade superior. O dispositivo possui uma baixa queda de tensão direta de 1 V e uma corrente de fuga reversa ultrabaixa de apenas 0.1 μA, garantindo perda mínima de energia e eficiência aprimorada. Com um tempo de recuperação reversa rápido de 50 ns, este diodo é ideal para aplicações de comutação de alta velocidade.
Diferenciais
● Velocidade de comutação rápida.
● Pacote de montagem em superfície ideal para inserção automática
● Para aplicações de comutação de uso geral
● Alta condutância
Aplicações
● Diodo de comutação rápida para montagem em superfície
Name
Title
Description
Datasheet
Support
Suporte
Se precisar de suporte técnico/de design, informe-nos preenchendo o Formulário de Resposta. Entraremos em contato o mais breve possível.
Longevidade
O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.
1N4148WT Diodo de sinal pequeno SOD-523
Brand: slkor， VRRM(V)： 80V IO(A)： 100mA VF(V)： 1.25V IR(uA)： 100nA trr(ns)： 4ns Package： SOD-523
1SS184 Diodos de comutação SOT-23
Brand: slkor， VRRM(V)： 85V IO(A)： 100mA VF(V)： 0.6V IR(uA)： 0.1μA trr(ns)： 1.6ns Package： SOT-23
BAV103 Diodos de comutação LL-34
Brand: slkor， VRRM(V)： 250V IO(A)： 250mA VF(V)： 1V IR(uA)： 100nA trr(ns)： 50ns Package： LL-34
Diodo de comutação de alta velocidade BAV99 SOT-23
Brand: slkor， VRRM(V)： 75V IO(A)： 125mA VF(V)： 1V IR(uA)： 30nA trr(ns)： 4ns Package： SOT-23
Diodo de comutação de montagem em superfície 1N4148WS SOD-323
Brand: slkor， VRRM(V)： 75V IO(A)： 150mA VF(V)： 1V IR(uA)： 1μA trr(ns)： 4ns Package： SOD-323
Diodo de comutação de montagem em superfície BAS21H SOD-323
Brand: slkor， VRRM(V)： 250V IO(A)： 200mA VF(V)： 1V IR(uA)： 0.1μA trr(ns)： 50ns Package： SOD-323
Diodo de comutação de montagem em superfície BAS316 SOT-323
Brand: slkor， VRRM(V)： 100V IO(A)： 150mA VF(V)： 1.25V IR(uA)： 25μA@20V trr(ns)： 4ns Package： SOT-323
Diodo de comutação de montagem em superfície BAV19W SOD-123
Brand: slkor， VRRM(V)： 120V IO(A)： 200mA VF(V)： 1V IR(uA)： 0.1μA trr(ns)： 50ns Package： SOD-123
Diodo de comutação de montagem em superfície BAV21W SOD-123
Brand: slkor， VRRM(V)： 250V IO(A)： 200mA VF(V)： 1.25V IR(uA)： 0.1μA trr(ns)： 50ns Package： SOD-123
Diodo de comutação de montagem em superfície BAV70 SOT-23
Brand: slkor， VRRM(V)： 100V IO(A)： 200mA VF(V)： 1V IR(uA)： 25nA trr(ns)： 4ns Package： SOT-23
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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