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BAS321 Schaltdioden SOD-323
Diese Hochleistungsdiode verfügt über eine Sperrspannungsnennleistung von 250 V und ist damit für den Betrieb mit höheren Spannungen geeignet, während gleichzeitig eine überragende Zuverlässigkeit gewährleistet bleibt. Das Gerät verfügt über einen niedrigen Durchlassspannungsabfall von 1 V und einen extrem niedrigen Sperrleckstrom von nur 0.1 μA, was minimalen Leistungsverlust und verbesserte Effizienz gewährleistet. Mit einer schnellen Sperrverzögerungszeit von 50 ns ist diese Diode ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen.
SCHNELLE SCHALTDIODE
Unsere Vorteile
Chinesische Herstellungsprozesse wurden jahrelang iteriert, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien führte. Viele internationale Konzerne entscheiden sich für die Auslagerung der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte in 99 % der Anwendungen die Produkte großer internationaler Marken vollständig ersetzen, ohne dass eine Testverifizierung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonstanz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Lieferung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Beschreibung
Diese Hochleistungsdiode verfügt über eine Sperrspannungsnennleistung von 250 V und ist damit für den Betrieb mit höheren Spannungen geeignet, während gleichzeitig eine überragende Zuverlässigkeit gewährleistet bleibt. Das Gerät verfügt über einen niedrigen Durchlassspannungsabfall von 1 V und einen extrem niedrigen Sperrleckstrom von nur 0.1 μA, was minimalen Leistungsverlust und verbesserte Effizienz gewährleistet. Mit einer schnellen Sperrverzögerungszeit von 50 ns ist diese Diode ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen.
Eigenschaften
● Schnelle Umschaltgeschwindigkeit.
● Oberflächenmontagegehäuse, ideal geeignet für die automatische Bestückung
● Für allgemeine Schaltanwendungen
● Hohe Leitfähigkeit
Anwendungen
● Oberflächenmontierte Schnellschaltdiode
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Support
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.
1N4148W Schnellschaltdiode SOD-123
Marke: slkor， VRRM(V)： 75V IO(A)： 150mA VF(V)： 1V IR(uA)： 25nA trr(ns)： 4ns Package： SOD-123
1N4148WS Oberflächenmontierte Schaltdiode SOD-323
Marke: slkor， VRRM(V)： 75V IO(A)： 150mA VF(V)： 1V IR(uA)： 1μA trr(ns)： 4ns Package： SOD-323
1N4148WT Kleinsignaldiode SOD-523
Marke: slkor， VRRM(V)： 80V IO(A)： 100mA VF(V)： 1.25V IR(uA)： 100nA trr(ns)： 4ns Package： SOD-523
1N4448WS Schnellschaltdiode
Marke: slkor， VRRM(V)： 75V IO(A)： 250mA VF(V)： 0.62V IR(uA)： 2.5μA trr(ns)： 4ns Package： SOD-323
1SS184 Schaltdioden SOT-23
Marke: slkor， VRRM(V)： 85V IO(A)： 100mA VF(V)： 0.6V IR(uA)： 0.1μA trr(ns)： 1.6ns Package： SOT-23
1SS355 Schnellschaltdioden SOD-323
Marke: slkor， VRRM(V)： 90V IO(A)： 100mA VF(V)： 1.2V IR(uA)： 0.1μA trr(ns)： 4ns Package： SOD-323
1ss226 Schnellschaltdioden SOT-23
Marke: slkor， VRRM(V)： 85V IO(A)： 100mA VF(V)： 0.9V IR(uA)： 0.5μA@80V trr(ns)： 4ns Package： SOT-23
BAS21H Oberflächenmontierte Schaltdiode SOD-323
Marke: slkor， VRRM(V)： 250V IO(A)： 200mA VF(V)： 1V IR(uA)： 0.1μA trr(ns)： 50ns Package： SOD-323
BAS316 Oberflächenmontierte Schaltdiode SOT-323
Marke: slkor， VRRM(V)： 100V IO(A)： 150mA VF(V)： 1.25V IR(uA)： 25μA@20V trr(ns)： 4ns Package： SOT-323
BAT54CW Kleinsignaldiode SOT-323
Marke: slkor， VRRM(V)： 30V IO(A)： 100μA VF(V)： 0.24V IR(uA)： 2μA trr(ns)： 5ns Package： SOT-323
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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