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Sensor de efeito Hall SL6103-3 SOT-23
O SL6103 é um chip de interruptor Hall bipolar de baixo consumo e alta sensibilidade, projetado e produzido com tecnologia CMOS. Integrados ao dispositivo estão circuitos integrados de tensão.
Regulador, gerador de tensão Hall, amplificador de sinal pequeno, estabilizador chopper, disparador Schmitt e driver de saída CMOS. Este chip apresenta excelente estabilidade de temperatura, alta resistência a estresse e alta sensibilidade, operando em uma faixa de tensão de 2.7 V a 5.5 V. Está disponível em encapsulamentos TO-92S para montagem em furo passante e SOT23-3L para montagem em superfície, ambos em conformidade com os padrões ambientais RoHS.
Nossas vantagens
Os processos de fabricação chineses passaram por anos de iteração, resultando em tecnologias maduras e confiáveis. Muitas empresas internacionais optam pela terceirização da produção na China. Como fabricante de componentes eletrônicos na China, nossos produtos podem substituir totalmente os das principais marcas internacionais em 99% das aplicações, sem a necessidade de verificação de testes. Nossos produtos apresentam alta consistência em qualidade, preços razoáveis, amplo estoque, fornecimento flexível, prazos de entrega curtos e serviço pós-venda profissional.
Descrição
SL6103 é um chip de comutação Hall bipolar de baixa potência e alta sensibilidade, projetado e produzido usando tecnologia CMOS. Integrados ao dispositivo estão um regulador de tensão, gerador de tensão Hall, amplificador de sinal pequeno, estabilizador chopper, gatilho Schmitt e driver de saída CMOS. Este chip exibe excelente estabilidade de temperatura, forte resistência ao estresse e alta sensibilidade, operando em uma faixa de tensão de 2.7 V a 5.5 V. Ele está disponível em pacotes de montagem em superfície TO-92S through-hole e SOT23-3L, ambos em conformidade com os padrões ambientais RoHS
Diferenciais
● Saída push-pull
● Desempenho ESD de até: ±6kV
● Tensão de operação: 2.7 V a 5.5 V
● Aplicações alimentadas por bateria de micropotência
● Interruptor de saída bipolar
Aplicações
● interruptor de estado sólido
● Instrumentação
● laptop
● PDA
Nome
Título
Descrição
Ficha de dados
Suporte
Suporte
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Longevidade
O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.
SL1603SL Sensor Hall SOT-23
Marcas: slkor， Polarity： Omnipolar VDD(V)： 6V IDD(A)： 3.3μA Scanning frequency： 5Hz Package： SOT-23
SLOH49E-9 Sensor Hall TO-92S
Marcas: slkor， Polarity： Omnipolar VDD(V)： 15V IDD(A)： 5mA Package： TO-92S
SLSS49E-3 Sensores Hall SOT-23
Marcas: slkor， Polarity： Omnipolar VDD(V)： 15V IDD(A)： 5mA Package： SOT-23
Sensor de efeito Hall RCLAMP0524P DFN2510-10L
Marcas: slkor， Polarity： Unipolar IDD(A)： null- Package： DFN2510-10L
Sensor de efeito Hall SL-106C SSOT-4
Marcas: slkor， Polarity： Omnipolar VDD(V)： 8V IDD(A)： 5mA Package： SSOT-4
Sensor de efeito Hall SL-302B SSIP-4
Marcas: slkor， Polarity： N Pole VDD(V)： 5V IDD(A)： 5mA Package： SSIP-4
Sensor de efeito Hall SL-322B SSIP-4
Marcas: slkor， Polarity： Omnipolar VDD(V)： 5V IDD(A)： 5mA Package： SSIP-4
Sensor de efeito Hall SL1303SB SOT-23-3L
Marcas: slkor， Polarity： Omnipolar VDD(V)： 5.5V IDD(A)： 160nA Scanning frequency： -- Package： SOT-23-3L
Sensor de efeito Hall SL1303SC SOT-23-3L
Marcas: slkor， Polarity： Omnipolar VDD(V)： 5.5V IDD(A)： 160nA Scanning frequency： 50Hz Package： SOT-23-3L
Sensor de efeito Hall SL1303SD SOT-23-3L
Marcas: slkor， Polarity： Omnipolar VDD(V)： 5.5V IDD(A)： 160nA Scanning frequency： 50Hz Package： SOT-23-3L
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
As linhas de produtos da SLKOR incluem dispositivos discretos, como diodos, transistores e dispositivos de potência; e circuitos integrados, como reguladores lineares, conversores DC/DC, chips de interface, sensores Hall, conversores analógico-digitais (ADCs) e sistemas de gerenciamento de bateria (BMS). Possuímos anos de tecnologia acumulada em semicondutores dedicados.
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