Velocidade de comutação ultrarrápida com tempo de recuperação reversa próximo de zero, suprimindo eficazmente o ruído de comutação e os picos de tensão em circuitos de alta frequência.
Baixa queda de tensão direta de apenas 750mV com corrente instantânea de 3A, minimizando a perda térmica e aumentando a eficiência de conversão de energia para dispositivos portáteis alimentados por bateria.
Excelente desempenho anti-surto com tolerância a corrente de pico de 9A, capaz de lidar com correntes de pico instantâneas provenientes de capacitores e micromotores.
Corrente de fuga reversa ultrabaixa na tensão reversa nominal, reduzindo o consumo de energia em modo de espera e prolongando a vida útil da bateria.
Ampla faixa de temperatura operacional (-55℃ ~ +125℃) e características elétricas estáveis em ambientes de temperatura extrema.
Pacote SOD padrão para montagem em superfície, tamanho compacto, resistente à umidade e ao calor, totalmente compatível com RoHS e com montagem SMT automática de alta velocidade.
Inspeção de qualidade rigorosa em várias etapas, incluindo triagem de wafers, envelhecimento e ciclos de alta e baixa temperatura, para garantir a estabilidade operacional a longo prazo.
Descrição
O 1N5817WS é um diodo Schottky de montagem em superfície desenvolvido pela Slkor, que utiliza tecnologia consolidada de fabricação de barreiras metal-semicondutor. Projetado para sistemas eletrônicos de baixa tensão e baixo consumo de energia, com tensão reversa nominal de 20V e corrente retificada média de 1A, ele serve como um componente central ideal para circuitos de retificação, roda livre e proteção contra inversão de polaridade.
Diferentemente dos diodos de junção PN tradicionais, este diodo Schottky utiliza a condução de portadores majoritários para eliminar o efeito de armazenamento de carga, proporcionando comutação instantânea sem perdas adicionais em altas frequências e interferência eletromagnética. Com parâmetros elétricos balanceados e desempenho de encapsulamento confiável, ele se adequa perfeitamente à tendência de desenvolvimento de hardware microinteligente leve, de baixo consumo de energia e alta frequência, sendo amplamente aplicável a eletrônicos de consumo, mini módulos de potência, controle de microacionadores e equipamentos miniaturizados de novas energias.
Diferenciais
Tempo de recuperação reversa próximo de zero, otimizado para aplicações de comutação de alta frequência.
Baixa queda de tensão direta para reduzir a perda de energia e a geração de calor do dispositivo.
Tensão reversa repetitiva de 20V, margem de tensão suficiente para circuitos de baixa tensão de 5V/12V.
Corrente retificada média contínua de 1A, capacidade de corrente de pico não repetitiva de 9A
Baixa corrente de fuga reversa (1mA a 20V) para reduzir o consumo de energia estática.
Faixa de temperatura operacional: -55°C a +125°C
Pacote de montagem em superfície (SMD) padrão em plástico, com dimensões reduzidas para layouts de PCB de alta densidade.
Em conformidade com a diretiva RoHS, livre de chumbo, adequado para produção em massa automatizada.
Alta resistência a flutuações de temperatura e picos de tensão transitórios.
Aplicações
Eletrônicos vestíveis para o consumidor: Retificação de energia e proteção contra inversão de polaridade para fones de ouvido Bluetooth, pulseiras inteligentes, relógios inteligentes e brinquedos eletrônicos.
Mini módulos de fonte de alimentação: circuitos DC-DC buck-boost, adaptadores USB em miniatura, placas de gerenciamento de carregamento de baterias de lítio.
Circuitos de proteção de acionamento e roda livre: pequenos relés, micromotores CC e válvulas solenoides para absorção de força contraeletromotriz (CEM).
Microequipamentos de energia renovável: módulos de carregamento para armazenamento de energia fotovoltaica de pequeno porte
Acessórios automotivos em miniatura: luzes ambiente para carros, carregadores USB para veículos.
Instrumentos de teste portáteis: circuitos retificadores de baixa tensão de dispositivos de detecção portáteis.
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