PNP-транзистор BCP51-16 от Slkor: номинальное напряжение 45 В, ток 1 А, корпус SOT-223, силовой аудиодрайвер.

BCP51-16 — это биполярный PNP-транзистор, относящийся к серии BCP51~BCP53 в корпусе SOT-223. Этот транзистор отличается относительно высоким коллекторным током и низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер. Его коэффициент усиления по постоянному току составляет от 100 до 250. Он подходит для схем управления аудиосигналом и выходных каскадов, а также имеет аналоги среди NPN-транзисторов BCP54~BCP56. В данном документе изложены ключевые параметры, характеристики продукта и направления его применения, даны инженерные рекомендации по применению и представлено исчерпывающее описание продукта.

I. Основные параметры продукта

Если не указано иное, все испытания проводятся при температуре окружающей среды 25℃.

1. Максимальные рейтинги

1. Обратное напряжение коллектор-база: -45 В
2. Обратное напряжение коллектор-эмиттер: -45 В
3. Обратное напряжение между эмиттером и базой: -5 В
4. Постоянный коллекторный ток: -1 А
5. Рассеиваемая мощность коллектора: 1.5 Вт
6. Тепловое сопротивление перехода к окружающей среде: 94℃/Вт
7. Диапазон температур хранения: от -65℃ до +150℃

2. Электрические характеристики

1. Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: -45 В, условия испытания: ток коллектора -10 мА, разомкнутая цепь базы.
2. Ток отсечки коллектора: максимальное значение -100 нА, условия испытания: напряжение база-коллектор -30 В, эмиттер разомкнут.
3. Коэффициент усиления по постоянному току: - Ток коллектора -5 мА, напряжение коллектор-эмиттер -2 В, минимальное значение 25 - Ток коллектора -150 мА, напряжение коллектор-эмиттер -2 В, диапазон усиления 100-250 (ранг BCP51-16) - Ток коллектора -500 мА, напряжение коллектор-эмиттер -2 В, минимальное значение 25
4. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: максимальное значение -0.5 В, условия испытания: ток коллектора -500 мА, ток базы -50 мА.
5. Напряжение база-эмиттер: максимальное значение -1 В, условия испытания: ток коллектора -500 мА, напряжение коллектор-эмиттер -2 В.
6. Частота перехода: минимальное значение 100 МГц, условия испытания: напряжение коллектор-эмиттер -10 В, ток коллектора -50 мА, частота испытания 100 МГц.

3. Определение выводов (корпус SOT-223)

Вывод 1: база; Вывод 2: коллектор; Вывод 3: эмиттер

II.Основные характеристики продукта

1. Это биполярный PNP-транзистор. Доступны комплементарные NPN-транзисторы BCP54–BCP56, что упрощает проектирование двухтактных схем.
2. Он поддерживает максимальный непрерывный коллекторный ток 1 А и рассеиваемую мощность 1.5 Вт. Корпус SOT-223 обеспечивает хорошие теплоотводящие характеристики.
3. Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер снижает потери мощности в включенном состоянии.
4. Версия BCP51-16 имеет коэффициент усиления по постоянному току в диапазоне от 100 до 250 и обладает высокой усиливающей способностью для сценариев управления средними токами.
5. Частота перехода составляет не менее 100 МГц, что соответствует требованиям обработки сигналов средней и высокой частоты.
6. Широкий диапазон температур хранения и эксплуатации позволяет адаптироваться к условиям окружающей среды от -65℃ до +150℃.

III. Основные области применения

1. Схемы управления аудиоусилителями и схемы выходного каскада аудиосигнала.
2. Схемы управления переключателями малого и среднего тока.
3. Двухтактные усилительные схемы, требующие сочетания PNP-транзисторов и соответствующих NPN-транзисторов.
4. Универсальные схемы усиления сигнала и управления нагрузкой для промышленного оборудования.

IV. Рекомендации по инженерному проектированию

1. Выбор напряжения: В практических схемах фактическое рабочее напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер должно иметь достаточный запас прочности и не должно приближаться непосредственно к номинальному значению -45 В, чтобы избежать повреждения устройства из-за скачков напряжения.
2. Рассеиваемая мощность и регулирование температуры: Максимальная рассеиваемая мощность 1.5 Вт определена при температуре окружающей среды 25℃. При температуре окружающей среды выше 120℃ допустимая рассеиваемая мощность устройства должна быть снижена. Исходя из теплового сопротивления перехода к окружающей среде 94℃/Вт, фактическое повышение температуры должно быть оценено для предотвращения превышения температурой перехода предельного значения для устройства.
3. Текущая конструкция: непрерывный коллекторный ток не должен превышать 1 А. В условиях насыщения при больших токах должен быть гарантирован достаточный ток управления базой для обеспечения насыщенного включения, контроля падения напряжения насыщения и снижения тепловыделения.
4. Примечания по коэффициенту усиления: коэффициент усиления по постоянному току изменяется в зависимости от тока коллектора и температуры окружающей среды. Коэффициент усиления уменьшается при больших токах. При проектировании схемы не следует полагаться только на номинальный коэффициент усиления, указанный в технической документации; необходимо предусмотреть достаточный запас прочности.
5. Ток утечки при отсечке: Ток утечки при отсечке коллектора значительно возрастает с повышением температуры. Влияние тока утечки следует учитывать при работе в условиях высоких температур.
6. Комплементарное сопряжение: для двухтактных выходных приложений в качестве парных устройств можно выбрать NPN-транзисторы серий BCP54~BCP56.

V. Краткое описание продукта

BCP51-16 — это силовой PNP-транзистор в корпусе SOT-223 с номинальным выдерживаемым напряжением 45 В, непрерывным током 1 А и рассеиваемой мощностью 1.5 Вт. Он отличается низким падением напряжения насыщения, высоким коэффициентом усиления и соответствующими комплементарными NPN-моделями. Это устройство в основном предназначено для схем управления и выходных цепей аудиосигналов, а также применяется в схемах общего назначения, таких как мало- и среднетоковые переключатели и двухтактные усилители. Для инженерных применений необходимо учитывать снижение номинальных параметров напряжения, тока и рассеиваемой мощности в зависимости от температурных условий. Также следует учитывать изменения коэффициента усиления и тока утечки в зависимости от температуры и рабочего тока для обеспечения долговременной стабильной работы схемы.

О Слкоре:

Slkor имеет научно-исследовательские и опытно-конструкторские офисы в Пусане (Южная Корея), Пекине (Китай) и Сучжоу (Китай). Большая часть производства, упаковки и тестирования пластин осуществляется в Китае. Компания нанимает и сотрудничает с отдельными лицами и организациями по всему миру, имеет лабораторию для тестирования производительности и надежности продукции и центральный склад, расположенный в ее штаб-квартире в Шэньчжэне. Slkor подала заявки на более чем сто патентов на изобретения, предлагает более 2,000 моделей продукции и обслуживает более десяти тысяч клиентов по всему миру. Ее продукция экспортируется в страны и регионы, включая Европу, Америку, Юго-Восточную Азию и Ближний Восток, что делает ее одной из быстрорастущих полупроводниковых компаний за последние годы. Благодаря хорошо отлаженным системам управления и оптимизированным рабочим процессам Slkor быстро повысила узнаваемость бренда и репутацию своего "SLKOR» благодаря выдающемуся качеству и стандартизированным услугам. Ассортимент продукции включает три основные серии: диодs, транзисторы и силовые устройства, с недавним выпуском новых продуктов, таких как элементы Холла и аналоговые устройства, расширяя свое присутствие в датчиках, микроконтроллерах Risc-v и других категориях продуктов.

BCP51-16 На страницу товара