Slkormicro SL2312 N-Channel Power MOSFET: 20V 5A SOT-23 Power Switch FET

SL2312 เป็น MOSFET กำลังสูงแบบ N-Channel ที่ผลิตโดย Slkormicro ใช้แพ็คเกจแบบติดตั้งบนพื้นผิว SOT-23 มีแรงดันทนต่อแรงดันเดรน-ซอร์ส 20V และกระแสเดรนต่อเนื่อง 5A อุปกรณ์นี้มีคุณสมบัติความต้านทานขณะเปิดต่ำและความเร็วในการสวิตช์ที่ดี จึงนิยมใช้กันอย่างแพร่หลายในวงจรป้องกันแบตเตอรี่ สวิตช์โหลด และวงจรจัดการพลังงาน และเป็นส่วนประกอบกำลังไฟฟ้าทั่วไปสำหรับงานสวิตช์พลังงานขนาดกะทัดรัด

1. พารามิเตอร์หลักของผลิตภัณฑ์

พิกัดสูงสุดสัมบูรณ์ (ที่อุณหภูมิแวดล้อม 25 ℃)

1. แรงดันระหว่างขั้วเดรนและซอร์ส: 20V
2. แรงดันเกต-ซอร์ส: 8V
3. กระแสไฟไหลออกต่อเนื่อง: 5A
4. กระแสไฟขาออกแบบพัลส์: 18A
5. กำลังไฟฟ้ารวมที่อุปกรณ์ใช้: 1250 มิลลิวัตต์
6. อุณหภูมิใช้งานสูงสุดของจุดเชื่อมต่อ: 150 ℃
7. ช่วงอุณหภูมิในการจัดเก็บ: -55 ℃ ถึง 150 ℃

คุณลักษณะทางไฟฟ้า (ที่อุณหภูมิแวดล้อม 25 ℃)

1. แรงดันพังทลายขั้นต่ำระหว่างขั้วเดรนและซอร์ส: 20V
2. ช่วงแรงดันเกณฑ์ของเกต: 0.45V-1.2V
3. แรงดันตกคร่อมไดโอดตัวถังสูงสุด: 1.5V
4. กระแสเดรนสูงสุดที่แรงดันเกตเป็นศูนย์คือ 1 ไมโครแอมป์ที่อุณหภูมิห้อง และ 10 ไมโครแอมป์ที่อุณหภูมิต่ำกว่า 55 องศาเซลเซียส
5. กระแสรั่วไหลสูงสุดระหว่างเกตและตัวถัง: 100 นาโนแอมป์
6. ความต้านทานสูงสุดขณะเปิดใช้งานคือ 25 มิลลิโอห์ม ภายใต้แรงดันเกต-ซอร์ส 4.5 โวลต์ และกระแสใช้งาน 5 แอมป์
7. ความต้านทานสูงสุดขณะเปิดใช้งานคือ 35 มิลลิโอห์ม ภายใต้แรงดันเกต-ซอร์ส 2.5 โวลต์ และกระแสใช้งาน 2 แอมป์
8. ความต้านทานสูงสุดขณะเปิดใช้งานคือ 50 มิลลิโอห์ม ภายใต้แรงดันเกต-ซอร์ส 1.8 โวลต์ และกระแสใช้งาน 1 แอมป์
9. ค่าความจุอินพุตโดยทั่วไป: 650 pF; ค่าความจุเอาต์พุตโดยทั่วไป: 120 pF
10. เวลาเปิดเครื่องโดยทั่วไป: 20 นาโนวินาที; เวลาปิดเครื่องโดยทั่วไป: 60 นาโนวินาที

แพคเกจขนาด

อุปกรณ์นี้มาในแพ็คเกจแบบติดตั้งบนพื้นผิว SOT-23 ความยาวของตัวแพ็คเกจมีตั้งแต่ 2.800 มม. ถึง 3.000 มม. ความกว้างของตัวแพ็คเกจมีตั้งแต่ 1.200 มม. ถึง 1.400 มม. และความสูงโดยรวมของอุปกรณ์มีตั้งแต่ 0.900 มม. ถึง 1.150 มม.

2. คุณสมบัติหลักของผลิตภัณฑ์

1. สามารถรองรับกระแสไฟฟ้าได้สูง สามารถใช้งานต่อเนื่องได้ถึง 5A และใช้งานแบบพัลส์ในระยะเวลาสั้นๆ ได้สูงสุด 18A
2. ประสิทธิภาพการทำงานที่ยอดเยี่ยมในด้านความต้านทานขณะเปิดวงจรภายใต้แรงดันขับเกตที่แตกต่างกัน สามารถรักษาความต้านทานขณะเปิดวงจรให้ต่ำได้แม้ใช้แรงดันขับเกตต่ำเพียง 2.5V ซึ่งเข้ากันได้กับวงจรขับแรงดันต่ำ
3. แพ็คเกจแบบติดตั้งบนพื้นผิว SOT-23 ช่วยลดพื้นที่บนแผงวงจรพิมพ์ (PCB) และเหมาะสำหรับผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์ขนาดเล็ก
4. โครงสร้างปลอดสารตะกั่วตรงตามข้อกำหนดการผลิตปลอดสารตะกั่ว
5. เวลาเปิดและปิดที่สั้นช่วยให้วงจรควบคุมทำงานได้อย่างรวดเร็ว

3. ขอบเขตการใช้งานหลัก

1. วงจรป้องกันแบตเตอรี่สำหรับป้องกันกระแสเกินและควบคุมเส้นทางการคายประจุของแบตเตอรี่ลิเธียมไอออนและอุปกรณ์เก็บพลังงานอื่นๆ
2. สวิตช์โหลดสำหรับควบคุมการเปิด-ปิดวงจรในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ต่างๆ
3. วงจรที่เกี่ยวข้องกับการจัดการพลังงานในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภคและอุปกรณ์ขนาดกะทัดรัด

4. ข้อเสนอแนะด้านการออกแบบทางวิศวกรรม

1. ในวงจรใช้งานจริง ควรเว้นระยะเผื่อแรงดันไฟฟ้าให้เพียงพอ ควรหลีกเลี่ยงการใช้งานต่อเนื่องเป็นเวลานานใกล้กับแรงดันไฟฟ้าสูงสุดที่ทนได้ 20 โวลต์ เพื่อป้องกันอุปกรณ์เสียหาย
2. แรงดันเกต-ซอร์สต้องไม่เกิน 8 โวลต์ แรงดันเกตที่สูงเกินไปจะทำให้ชั้นไดอิเล็กทริกของเกตเสียหายอย่างถาวรและทำให้เครื่องทำงานผิดปกติ
3. การกระจายพลังงานของอุปกรณ์ได้รับผลกระทบจากอุณหภูมิแวดล้อม จำเป็นต้องลดกำลังไฟฟ้าต่อเนื่องที่อนุญาตเมื่ออุณหภูมิแวดล้อมสูงขึ้น เพื่อรักษาอุณหภูมิจุดเชื่อมต่อให้ต่ำกว่า 150 ℃
4. อุปกรณ์นี้มีไดโอดภายในตัว โปรดระวังความร้อนที่เกิดขึ้นจากการลดลงของแรงดันไฟฟ้าเมื่อกระแสย้อนกลับไหลผ่านไดโอดภายในตัว
5. ในการออกแบบวงจร switching นั้น จะต้องพิจารณาถึงการสูญเสียพลังงานเนื่องจากความจุของอินพุตและเอาต์พุต ควรเลือกค่าความต้านทานในการขับเกตที่เหมาะสม เพื่อให้ได้สมดุลระหว่างสัญญาณรบกวนจากการสวิตช์และความเร็วในการสวิตช์
6. กระแสไฟเดรนแบบพัลส์ 18A ใช้ได้เฉพาะกับสภาวะพัลส์ช่วงเวลาสั้นๆ เท่านั้น ไม่ใช่การทำงานต่อเนื่อง ต้องปฏิบัติตามข้อจำกัดของความกว้างพัลส์และรอบการทำงานจากเอกสารข้อมูลจำเพาะ

5. สรุปผลิตภัณฑ์

SL2312 เป็น MOSFET กำลังสูงแบบ N-Channel ในแพ็คเกจ SOT-23 ทนแรงดันได้ 20V และกระแสเดรนต่อเนื่อง 5A มีประสิทธิภาพความต้านทานขณะเปิดที่ดีภายใต้แรงดันขับเกตต่ำ ด้วยขนาดแพ็คเกจที่กะทัดรัด พารามิเตอร์โดยรวมเหมาะสำหรับสถานการณ์การสวิตช์กำลังปานกลางและต่ำ รวมถึงการป้องกันแบตเตอรี่ สวิตช์โหลด และการจัดการพลังงาน เหมาะสำหรับการออกแบบวงจรจ่ายไฟในผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภคที่มีพื้นที่จำกัด จำเป็นต้องมีการออกแบบลดกำลังให้สอดคล้องกับพิกัดสูงสุดที่กำหนดไว้ เพื่อให้วงจรทำงานได้อย่างเสถียรในระยะยาว

เกี่ยวกับสลกอร์：

Slkor มีสำนักงานวิจัยและพัฒนาในเมืองปูซาน ประเทศเกาหลีใต้ ปักกิ่ง ประเทศจีน และซูโจว ประเทศจีน การผลิต บรรจุภัณฑ์ และการทดสอบเวเฟอร์ส่วนใหญ่ดำเนินการในประเทศจีน บริษัทจ้างงานและทำงานร่วมกับบุคคลและองค์กรต่างๆ ทั่วโลก โดยมีห้องปฏิบัติการสำหรับการทดสอบประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือของผลิตภัณฑ์ และคลังสินค้ากลางตั้งอยู่ที่สำนักงานใหญ่ในเมืองเซินเจิ้น Slkor ได้ยื่นขอสิทธิบัตรสิ่งประดิษฐ์มากกว่าร้อยฉบับ นำเสนอผลิตภัณฑ์มากกว่า 2,000 รุ่น และให้บริการลูกค้ามากกว่าหมื่นรายทั่วโลก ผลิตภัณฑ์ของบริษัทถูกส่งออกไปยังประเทศและภูมิภาคต่างๆ รวมถึงยุโรป อเมริกา เอเชียตะวันออกเฉียงใต้ และตะวันออกกลาง ทำให้เป็นหนึ่งในบริษัทเซมิคอนดักเตอร์ที่เติบโตอย่างรวดเร็วในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมา ด้วยระบบการจัดการที่ได้รับการยอมรับและเวิร์กโฟลว์ที่มีประสิทธิภาพ Slkor จึงสามารถเพิ่มการรับรู้และชื่อเสียงของแบรนด์ได้อย่างรวดเร็วSLKOR" แบรนด์ด้วยคุณภาพที่โดดเด่นและบริการที่ได้มาตรฐาน กลุ่มผลิตภัณฑ์ประกอบด้วย 3 ซีรี่ส์หลัก: ไดโอดทรานซิสเตอร์ และอุปกรณ์จ่ายไฟ พร้อมด้วยการเปิดตัวผลิตภัณฑ์ใหม่เมื่อเร็ว ๆ นี้ เช่น องค์ประกอบ Hall และอุปกรณ์อะนาล็อก ซึ่งขยายการแสดงตนในเซ็นเซอร์ ไมโครคอนโทรลเลอร์ Risc-v และหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ

SL2312ไปยังหน้าสินค้า