Slkormicro SL2312 N-Kanal-Leistungs-MOSFET: 20 V 5 A SOT-23 Leistungsschalter-FET

Der SL2312 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Slkormicro. Er ist im SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage erhältlich und verfügt über eine Drain-Source-Spannungsfestigkeit von 20 V sowie einen Dauerstrom von 5 A. Das Bauteil zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit aus. Es findet breite Anwendung in Batterieschutzschaltungen, Lastschaltern und Energiemanagementschaltungen und dient als Standardkomponente für kompakte Leistungsschaltanwendungen.

1. Kernproduktparameter

Absolute Maximalwerte (bei einer Umgebungstemperatur von 25 ℃)

1. Drain-Source-Spannung: 20 V
2. Gate-Source-Spannung: 8 V
3. Dauerhafter Abflussstrom: 5 A
4. Gepulster Drainstrom: 18 A
5. Gesamtverlustleistung des Geräts: 1250 mW
6. Maximale Sperrschichttemperatur: 150 ℃
7. Lagertemperaturbereich: -55 ℃ bis 150 ℃

Elektrische Eigenschaften (bei einer Umgebungstemperatur von 25 ℃)

1. Minimale Drain-Source-Durchbruchspannung: 20 V
2. Gate-Schwellenspannungsbereich: 0.45 V – 1.2 V
3. Maximaler Spannungsabfall in Durchlassrichtung der Body-Diode: 1.5 V
4. Der maximale Drainstrom bei Null-Gate-Spannung beträgt 1 µA bei Raumtemperatur und 10 µA unter 55 °C.
5. Maximaler Gate-Body-Leckstrom: 100 nA
6. Der maximale Einschaltwiderstand beträgt 25 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 4.5 V und einem Betriebsstrom von 5 A.
7. Der maximale Einschaltwiderstand beträgt 35 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 2.5 V und einem Betriebsstrom von 2 A.
8. Der maximale Einschaltwiderstand beträgt 50 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 1.8 V und einem Betriebsstrom von 1 A.
9. Typische Eingangskapazität: 650 pF; Typische Ausgangskapazität: 120 pF
10. Typische Einschaltzeit: 20 ns; Typische Ausschaltzeit: 60 ns

Paket-Maße

Das Bauteil ist im SOT-23-Oberflächenmontagegehäuse erhältlich. Die Gehäuselänge variiert zwischen 2.800 mm und 3.000 mm, die Gehäusebreite zwischen 1.200 mm und 1.400 mm und die Gesamthöhe zwischen 0.900 mm und 1.150 mm.

2. Wichtigste Produktmerkmale

1. Hohe Strombelastbarkeit. Es unterstützt einen Dauerbetriebsstrom von 5 A und einen maximalen kurzzeitigen Impulsstrom von 18 A.
2. Hervorragendes Einschaltwiderstandsverhalten bei unterschiedlichen Gate-Ansteuerspannungen. Selbst bei einer niedrigen Gate-Ansteuerspannung von 2.5 V bleibt der Einschaltwiderstand gering, wodurch die Kompatibilität mit Niederspannungs-Ansteuerschaltungen gewährleistet ist.
3. Das SOT-23-Oberflächenmontagegehäuse reduziert die Leiterplattenfläche und eignet sich für miniaturisierte Elektronikprodukte.
4. Die bleifreie Konstruktion erfüllt die Anforderungen an die bleifreie Fertigung.
5. Kurze Ein- und Ausschaltzeiten gewährleisten eine schnelle Schaltleistung für Schaltkreise.

3. Hauptanwendungsgebiete

1. Batterieschutzschaltungen zum Schutz vor Überstrom und zur Steuerung des Entladepfads von Lithium-Ionen-Batterien und anderen Energiespeichergeräten.
2. Lastschalter zur Ein-/Ausschaltsteuerung von Regelkreisen in verschiedenen elektronischen Geräten.
3. Schaltungen für das Energiemanagement in Unterhaltungselektronik und Kompaktgeräten.

4. Empfehlungen für die Konstruktionsplanung

1. In praktischen Schaltungen muss eine ausreichende Spannungsreserve vorgeplant werden. Ein dauerhafter Betrieb nahe der maximalen Spannungsfestigkeit von 20 V ist zu vermeiden, um einen Geräteausfall zu verhindern.
2. Die Gate-Source-Spannung darf 8 V nicht überschreiten. Eine zu hohe Gate-Spannung beschädigt die Gate-Dielektrikumsschicht dauerhaft und führt zum Ausfall des Bauelements.
3. Die Verlustleistung des Bauelements wird von der Umgebungstemperatur beeinflusst. Bei steigender Umgebungstemperatur ist eine Reduzierung der zulässigen Dauerleistung erforderlich, um die Sperrschichttemperatur unter 150 °C zu halten.
4. Dieses Bauteil enthält eine Body-Diode. Beachten Sie die Wärmeentwicklung, die durch den Spannungsabfall in Durchlassrichtung entsteht, wenn Rückstrom durch die Body-Diode fließt.
5. Bei der Auslegung von Schaltschaltungen müssen die durch Eingangs- und Ausgangskapazität verursachten Schaltverluste berücksichtigt werden. Ein geeigneter Gate-Ansteuerwiderstand ist zu wählen, um ein ausgewogenes Verhältnis zwischen Schaltrauschen und Schaltgeschwindigkeit zu erzielen.
6. Der gepulste Drainstrom von 18 A gilt nur für kurzzeitige Impulsbedingungen und nicht für den Dauerbetrieb. Die im Datenblatt angegebenen Grenzwerte für Impulsbreite und Tastverhältnis müssen eingehalten werden.

5. Produktübersicht

Der SL2312 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET im SOT-23-Gehäuse mit einer Nennspannung von 20 V und einem Dauerstrom von 5 A. Er bietet ein gutes Einschaltverhalten bei niedriger Gate-Ansteuerungsspannung und ist dabei kompakt. Seine Parameter eignen sich für Schaltanwendungen im mittleren und niedrigen Leistungsbereich, wie z. B. Batterieschutz, Lastschalter und Energiemanagement. Er ist ideal für die Leistungsregelung von platzsparenden Unterhaltungselektronikprodukten. Für einen langfristig stabilen Betrieb ist eine Auslegung unter Einhaltung der maximalen Nennwerte erforderlich.

Über Slkor:

Slkor hat Forschungs- und Entwicklungsbüros in Busan, Südkorea, Peking, China und Suzhou, China. Die Herstellung, Verpackung und Prüfung der Wafer erfolgt größtenteils in China. Das Unternehmen beschäftigt und arbeitet mit Einzelpersonen und Organisationen weltweit zusammen. Es verfügt über ein Labor für Produktleistungs- und Zuverlässigkeitstests sowie ein zentrales Lager an seinem Hauptsitz in Shenzhen. Slkor hat über hundert Erfindungspatente angemeldet, bietet mehr als 2,000 Produktmodelle an und bedient über zehntausend Kunden weltweit. Seine Produkte werden in Länder und Regionen wie Europa, Amerika, Südostasien und den Nahen Osten exportiert, was es zu einem der am schnellsten wachsenden Halbleiterunternehmen der letzten Jahre macht. Mit gut etablierten Managementsystemen und rationalisierten Arbeitsabläufen hat Slkor die Markenbekanntheit und den Ruf seiner "SLKOR" durch herausragende Qualität und standardisierte Dienstleistungen. Die Produktpalette umfasst drei Hauptserien: Diodes, Transistoren und Leistungsbauelemente, mit der kürzlichen Einführung neuer Produkte wie Hall-Elemente und analoge Geräte, wodurch die Präsenz im Bereich Sensoren, Risc-v-Mikrocontroller und anderen Produktkategorien erweitert wird.

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