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MOSFET de potencia de canal N Slkormicro SL2312: 20 V 5 A SOT-23

2026-10-20 127
El SL2312 es un MOSFET de potencia de canal N fabricado por Slkormicro. Adopta un encapsulado de montaje superficial SOT-23 con una tensión de ruptura drenador-fuente de 20 V y una corriente de drenaje continua de 5 A. Este dispositivo se caracteriza por su baja resistencia en estado activo y una velocidad de conmutación óptima. Se utiliza ampliamente en circuitos de protección de baterías, conmutación de carga y gestión de energía, y es un componente común para aplicaciones compactas de conmutación de potencia.

1. Parámetros básicos del producto

Valores máximos absolutos (a una temperatura ambiente de 25 ℃)

  1. Tensión drenador-fuente: 20 V
  2. Tensión puerta-fuente: 8V
  3. Corriente de drenaje continua: 5 A
  4. Corriente de drenaje pulsada: 18 A
  5. Disipación de potencia total del dispositivo: 1250 mW
  6. Temperatura máxima de funcionamiento de la unión: 150 ℃
  7. Rango de temperatura de almacenamiento: -55 ℃ a 150 ℃

Características eléctricas (a una temperatura ambiente de 25 ℃)

  1. Tensión de ruptura mínima drenador-fuente: 20 V
  2. Rango de voltaje umbral de puerta: 0.45 V-1.2 V
  3. Caída máxima de tensión directa del diodo intrínseco: 1.5 V
  4. La corriente máxima de drenaje con voltaje de puerta cero es de 1 μA a temperatura ambiente y de 10 μA a 55 ℃.
  5. Corriente de fuga máxima entre puerta y cuerpo: 100 nA
  6. La resistencia máxima en estado activo es de 25 mΩ con una tensión puerta-fuente de 4.5 V y una corriente de funcionamiento de 5 A.
  7. La resistencia máxima en estado activo es de 35 mΩ con una tensión puerta-fuente de 2.5 V y una corriente de funcionamiento de 2 A.
  8. La resistencia máxima en estado activo es de 50 mΩ con una tensión puerta-fuente de 1.8 V y una corriente de funcionamiento de 1 A.
  9. Capacitancia de entrada típica: 650 pF; Capacitancia de salida típica: 120 pF
  10. Tiempo típico de encendido: 20 ns; Tiempo típico de apagado: 60 ns

Dimensiones del paquete

El dispositivo viene en un encapsulado de montaje superficial SOT-23. La longitud del cuerpo del encapsulado varía de 2.800 mm a 3.000 mm. El ancho del cuerpo varía de 1.200 mm a 1.400 mm. La altura total del dispositivo varía de 0.900 mm a 1.150 mm.

2. Características principales del producto

  1. Alta capacidad de manejo de corriente. Admite una corriente de funcionamiento continua de 5 A y una corriente pulsada de corta duración máxima de 18 A.
  2. Excelente rendimiento de la resistencia en estado activo bajo diferentes voltajes de control de puerta. Mantiene una baja resistencia en estado activo incluso con un bajo voltaje de control de puerta de 2.5 V, lo que lo hace compatible con circuitos de control de bajo voltaje.
  3. El encapsulado de montaje superficial SOT-23 reduce el espacio que ocupa en la placa de circuito impreso y se adapta a productos electrónicos miniaturizados.
  4. La construcción sin plomo cumple con los requisitos de fabricación sin plomo.
  5. Los cortos tiempos de encendido y apagado proporcionan un rendimiento de conmutación rápido para los circuitos de conmutación.

3. Principales campos de aplicación

  1. Circuitos de protección de baterías para la protección contra sobrecorriente y el control de la ruta de descarga de baterías de iones de litio y otros dispositivos de almacenamiento de energía.
  2. Interruptores de carga para el control de encendido y apagado de circuitos en diversos equipos electrónicos.
  3. Circuitos relacionados con la gestión de energía en dispositivos electrónicos de consumo y dispositivos compactos.

4. Recomendaciones de diseño de ingeniería

  1. En los circuitos prácticos, se debe reservar un margen de tensión suficiente. Para evitar averías en el dispositivo, se debe evitar el funcionamiento prolongado cerca de la tensión máxima de resistencia de 20 V.
  2. La tensión entre la puerta y la fuente no debe superar los 8 V. Una tensión excesiva en la puerta dañará permanentemente la capa dieléctrica de la puerta y provocará un fallo en el dispositivo.
  3. La disipación de potencia del dispositivo se ve afectada por la temperatura ambiente. Es necesario reducir la potencia continua permitida cuando aumenta la temperatura ambiente para mantener la temperatura de la unión por debajo de 150 ℃.
  4. Este dispositivo integra un diodo intrínseco. Preste atención a la generación de calor causada por la caída de tensión directa cuando la corriente inversa fluye a través del diodo intrínseco.
  5. En el diseño de circuitos de conmutación, se deben considerar las pérdidas de conmutación causadas por la capacitancia de entrada y salida. Se debe seleccionar una resistencia de excitación de puerta adecuada para equilibrar el ruido de conmutación y la velocidad de conmutación.
  6. La corriente de drenaje pulsada de 18 A se aplica únicamente a pulsos de corta duración, no a funcionamiento continuo. Deben respetarse las restricciones de ancho de pulso y ciclo de trabajo indicadas en la hoja de datos.

5 Resumen del producto

El SL2312 es un MOSFET de potencia de canal N en encapsulado SOT-23, con una tensión de ruptura de 20 V y una corriente de drenaje continua de 5 A. Ofrece un buen rendimiento de resistencia en estado activo con una baja tensión de control de puerta y un tamaño de encapsulado compacto. Sus parámetros generales son adecuados para aplicaciones de conmutación de potencia media y baja, como protección de baterías, interruptores de carga y gestión de energía. Es idóneo para el diseño de bucles de alimentación en productos electrónicos de consumo con espacio limitado. Se requiere un diseño de reducción de potencia que cumpla con los valores máximos absolutos para garantizar un funcionamiento estable del circuito a largo plazo.


Acerca de Slkor:

Slkor tiene oficinas de investigación y desarrollo en Busan, Corea del Sur, Beijing, China y Suzhou, China. La mayor parte de la fabricación, el empaquetado y las pruebas de obleas se llevan a cabo en China. La empresa emplea y colabora con personas y organizaciones de todo el mundo, con un laboratorio para pruebas de rendimiento y confiabilidad de productos y un almacén central ubicado en su sede en Shenzhen. Slkor ha presentado más de cien patentes de invención, ofrece más de 2,000 modelos de productos y atiende a más de diez mil clientes en todo el mundo. Sus productos se exportan a países y regiones como Europa, América, el sudeste asiático y Oriente Medio, lo que la convierte en una de las empresas de semiconductores de más rápido crecimiento en los últimos años. Con sistemas de gestión bien establecidos y flujos de trabajo optimizados, Slkor ha mejorado rápidamente el conocimiento y la reputación de la marca.SLKOR"marca a través de su excelente calidad y servicios estandarizados. Su gama de productos incluye tres series principales: diodos, transistores y dispositivos de potencia, con la reciente introducción de nuevos productos como elementos Hall y dispositivos analógicos, ampliando su presencia en sensores, microcontroladores Risc-v y otras categorías de productos.

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