MOSFET de potência de canal N Slkormicro SL2312: 20V 5A SOT-23

O SL2312 é um MOSFET de potência de canal N lançado pela Slkormicro. Ele adota um encapsulamento SOT-23 para montagem em superfície, com tensão suportável de dreno-fonte de 20V e corrente de dreno contínua de 5A. Este dispositivo apresenta baixa resistência no estado ligado e excelente velocidade de comutação. É amplamente utilizado em circuitos de proteção de baterias, chaveamento de carga e gerenciamento de energia, sendo um componente de potência comum para aplicações compactas de chaveamento de energia.

1. Parâmetros Essenciais do Produto

Classificações máximas absolutas (à temperatura ambiente de 25 ℃)

1. Tensão dreno-fonte: 20V
2. Tensão porta-fonte: 8V
3. Corrente de dreno contínua: 5A
4. Corrente de dreno pulsada: 18A
5. Dissipação total de potência do dispositivo: 1250mW
6. Temperatura máxima de operação da junção: 150 ℃
7. Faixa de temperatura de armazenamento: -55 ℃ a 150 ℃

Características elétricas (à temperatura ambiente de 25 ℃)

1. Tensão mínima de ruptura entre dreno e fonte: 20V
2. Faixa de tensão de limiar de porta: 0.45V-1.2V
3. Queda de tensão direta máxima do diodo de corpo: 1.5 V
4. A corrente máxima de dreno com tensão de porta zero é de 1 µA à temperatura ambiente e de 10 µA a 55 °C.
5. Corrente máxima de fuga entre o gate e o corpo: 100 nA
6. A resistência máxima no estado ligado é de 25 mΩ sob uma tensão porta-fonte de 4.5 V e corrente de operação de 5 A.
7. A resistência máxima no estado ligado é de 35 mΩ sob uma tensão porta-fonte de 2.5 V e corrente de operação de 2 A.
8. A resistência máxima no estado ligado é de 50 mΩ sob uma tensão porta-fonte de 1.8 V e corrente de operação de 1 A.
9. Capacitância de entrada típica: 650pF; Capacitância de saída típica: 120pF
10. Tempo típico de ativação: 20 ns; Tempo típico de desativação: 60 ns

Dimensões da embalagem

O dispositivo é fornecido em um encapsulamento SOT-23 para montagem em superfície. O comprimento do corpo do encapsulamento varia de 2.800 mm a 3.000 mm. A largura do corpo varia de 1.200 mm a 1.400 mm. A altura total do dispositivo varia de 0.900 mm a 1.150 mm.

2. Principais características do produto

1. Alta capacidade de condução de corrente. Suporta corrente contínua de 5A e corrente pulsada de curta duração máxima de 18A.
2. Excelente desempenho de resistência no estado ligado sob diferentes tensões de acionamento do gate. Mantém baixa resistência no estado ligado mesmo com uma tensão de acionamento do gate de apenas 2.5 V, sendo compatível com circuitos de acionamento de baixa tensão.
3. O encapsulamento SOT-23 para montagem em superfície reduz a área ocupada na placa de circuito impresso e é adequado para produtos eletrônicos miniaturizados.
4. A construção sem chumbo atende aos requisitos de fabricação sem chumbo.
5. Tempos curtos de ativação e desativação proporcionam desempenho de comutação rápido para circuitos de comutação.

3. Principais campos de aplicação

1. Circuitos de proteção de bateria para proteção contra sobrecorrente e controle do caminho de descarga de baterias de íon-lítio e outros dispositivos de armazenamento de energia.
2. Chaves de carga para controle liga/desliga de circuitos em diversos equipamentos eletrônicos.
3. Circuitos relacionados ao gerenciamento de energia em eletrônicos de consumo e dispositivos compactos.

4. Recomendações de Projeto de Engenharia

1. Em circuitos práticos, deve-se reservar uma margem de tensão suficiente. A operação prolongada próxima à tensão máxima absoluta suportável de 20 V deve ser evitada para prevenir danos ao dispositivo.
2. A tensão entre porta e fonte não deve exceder 8V. Uma tensão excessiva na porta danificará permanentemente a camada dielétrica da porta e causará a falha do dispositivo.
3. A dissipação de potência do dispositivo é afetada pela temperatura ambiente. É necessário reduzir a potência contínua permitida quando a temperatura ambiente aumenta, para manter a temperatura de junção abaixo de 150 °C.
4. Este dispositivo integra um diodo de corpo. Atenção à geração de calor causada pela queda de tensão direta quando a corrente reversa flui através do diodo de corpo.
5. No projeto de circuitos de comutação, as perdas de comutação causadas pelas capacitâncias de entrada e saída devem ser consideradas. Uma resistência de acionamento de porta adequada deve ser selecionada para equilibrar o ruído e a velocidade de comutação.
6. A corrente de dreno pulsada de 18A aplica-se apenas a condições de pulso de curta duração, e não à operação contínua. As restrições de largura de pulso e ciclo de trabalho da folha de dados devem ser respeitadas.

5. sumario de produtos

O SL2312 é um MOSFET de potência de canal N em encapsulamento SOT-23, com tensão de operação de 20V e corrente de dreno contínua de 5A. Ele oferece bom desempenho de resistência no estado ligado sob baixa tensão de acionamento do gate, com um encapsulamento compacto. Seus parâmetros gerais são adequados para cenários de chaveamento de potência média e baixa, incluindo proteção de bateria, chaveamento de carga e gerenciamento de energia. É ideal para projetos de circuitos de potência em produtos eletrônicos de consumo com restrições de espaço. Para uma operação estável do circuito a longo prazo, é necessário um projeto de redução de potência que atenda aos limites máximos absolutos.

Sobre Slkor:

A Slkor tem escritórios de pesquisa e desenvolvimento em Busan, Coreia do Sul, Pequim, China e Suzhou, China. A maior parte da fabricação, embalagem e testes de wafers são realizados na China. A empresa emprega e colabora com indivíduos e organizações em todo o mundo, com um laboratório para testes de desempenho e confiabilidade de produtos e um depósito central localizado em sua sede em Shenzhen. A Slkor entrou com mais de cem patentes de invenção, oferece mais de 2,000 modelos de produtos e atende a mais de dez mil clientes globalmente. Seus produtos são exportados para países e regiões, incluindo Europa, Américas, Sudeste Asiático e Oriente Médio, tornando-a uma das empresas de semicondutores de rápido crescimento nos últimos anos. Com sistemas de gerenciamento bem estabelecidos e fluxos de trabalho simplificados, a Slkor aumentou rapidamente o reconhecimento da marca e a reputação de seus "SLKOR"marca através de sua excelente qualidade e serviços padronizados. Sua gama de produtos inclui três séries principais: diodos, transistores e dispositivos de potência, com lançamentos recentes de novos produtos, como elementos Hall e dispositivos analógicos, expandindo sua presença em sensores, microcontroladores Risc-v e outras categorias de produtos.

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