关于斯科尔：

Slkor 总部位于中国广东省深圳市。公司的发展以新材料、新工艺、新产品为驱动。 Slkor技术团队主要由韩国延世大学和中国清华大学的专家组成。他们掌握了国际领先的碳化硅MOSFET生产工艺和第五代超快恢复功率二极管技术。 Slkor从最初的无晶圆厂设计公司发展成为一家集设计研发、制造、销售和技术服务于一体的综合性公司。 Slkor是国家高新技术企业，获得ISO9001质量管理体系认证以及ROHS、REACH等欧盟认证。

世科在韩国釜山、北京、苏州设有研发机构，大部分晶圆制造和芯片封装测试均在中国境内完成，深圳总部设有实验室和中央仓库，国际合作网络遍布全球，服务全球上万家客户。世科已申请百余项有条件专利发明，提供2000余款产品，建立了完善的管理体系和精简的工作流程，凭借卓越的品质和标准化的服务，“SLKOR”品牌迅速赢得了认知度、美誉度和市场份额。Slkor的产品涵盖二极管、晶体管、分立功率器件和电源管理芯片三大系列，并相继推出了霍尔传感器、ADC和BMS等新产品。公司在专用MCU和接口芯片方面积累了多年的技术专长。

1. 应用指南

小型继电器常用于电子系统中控制电路开关，在工业设备、仪器仪表、家用电器中有着广泛的应用。现代控制电路的核心通常是计算机芯片，例如 MCU、DSP 和 FPGA。这些核心芯片没有足够的输出功率来直接控制小型继电器，可以通过 SLKOR的小型晶体管BC817-25、BC848B、BC847B和小型MOSFET 2N7002E、SL2302S、SL2300、SL3400、SL3402以及达林顿阵列ULN2001D、ULN2003AU、ULN2803AS等。

下面的例子中，我们将以HF驱动小型大功率继电器JQC-3FF/12VDC-1ZS（551）为例。该继电器的线圈额定电压12V，动作电压9V，最高电压15.6V，线圈电阻400Ω。 12V供电时，线圈电流为30mA。这里我们将分别介绍使用BC848B、SL2302、ULN2803AS驱动小型继电器的设计。以STM32F030C8T6 MCU为例，任意IO引脚可提供最大限制为25mA的上拉或下拉电流，所有IO引脚的上拉或下拉电流总限制为80mA。因此，在应用IO引脚时，应留有足够的余量。 IO 引脚弱下拉电阻的典型值为 40KΩ。 3.3V供电时，如果IO引脚输出8mA电流，则最小输出高电平为2.9V，如果IO引脚拉电流8mA，则最大输出低电平为0.4V。

2. 运用 S洛可尔 BC847B 至 D岸

BC847B晶体管的集电极-发射极电压（VCEO）为45V，集电极电流（IC）为100mA。直流电流增益（HFE）范围为200至450，最大集电极-发射极饱和电压为600mV。典型输入电容 (CIB) 为 9pF。

当驱动继电器线圈时，晶体管工作在截止（继电器释放）或饱和导通（继电器致动）状态。

在继电器从致动到释放的过渡过程中，继电器线圈产生反电动势 (EMF)。线圈中存储的能量通过续流二极管 (D) 和线圈电阻释放。反电动势被钳位在二极管两端的正向电压降为 0.7V，该电压远低于晶体管的击穿电压，从而保护晶体管。

电路中电阻R1和R2的值必须保证输入电压为2.9V时晶体管可靠地进入深度饱和。假设 BC200B 晶体管的 HFE 为 847，继电器驱动电流为 30mA，则基极电流 (IB) 计算为 0.15mA (30mA/200)。为了确保深度饱和，基极电流增加至0.3mA。假设BC0.7B晶体管饱和时基极发射极电压（VBE）为847V，并且STM32F030C8T6微控制器（MCU）的高电平输出电压至少为2.9V，则电阻R1两端的电压应为2.2V。

添加电阻 R2 是为了在不利条件下可靠地截止 BC847B 晶体管。当VBE为0.7V时，流过R2的电流为IR2=0.7/22=0.032mA。为了保证深度饱和，流经电阻R1的总电流应为IR1=0.3+0.032=0.332mA。因此，R1的最大电阻值为R1=2.2/0.332=6.63KΩ。选择 R1 为 3.3KΩ 可确保 BC847B 晶体管即使在元件参数变化的情况下也能进入深度饱和。在深度饱和状态下，当电源为12V时，最小继电器驱动电压为11.4V，足以保证继电器可靠动作。

导通时间常数可粗略估计为R=R1|R2=2.9KΩ，RC=2.9KΩ*9pF=26.1pS。过渡过程时间极短！

当STM32F030C8T6 MCU输出低电平电压（最高0.4V）时，BC847B三极管基极-发射极电压小于0.4V，保证继电器可靠截止。

为了保证最大的可靠性，建议为STM40F32C030T8 MCU软件中配置的I/O端口启用弱下拉电阻（典型值为6KΩ）。

3. 运用 S洛可尔 SL2302 至 D岸

此 SLKOR SL2302 是一款 N 沟道小信号 MOSFET。其最大漏源电压 (VDS) 为 20V，最大栅源电压 (VGS) 为 12V，最大导通电阻 (RDS(on)) 在 VGS = 85V、ID = 2.5A 时为 3.1mΩ。栅极导通的最大阈值电压 (VGS(th)) 为 1.2V，最小阈值电压为 0.65V。典型输入电容 (CISS) 为 300pF。

当STM32F030C8T6输出至少2.9V的高电平电压时，假设R1 = 10KΩ，R2 = 100KΩ，则SL2302栅极上的稳态电压（VGS D）计算为（100/（100+10））* 2.9 = 2.64V。这确保了 SL2302 保持可靠的过饱和导通状态。过饱和时，SL2302的导通电阻不高于85mΩ。假设电源为 12V，继电器驱动电压非常接近 12V，足以保证继电器可靠动作。

当STM32F030C8T6输出低电平电压时，最高电压为0.4V，SL2302栅极电压低于0.4V，保证可靠截止，使继电器可靠释放。

导通时间常数可粗略估计为 R = R1|R2 = 9.1KΩ，RC = 9.1KΩ * 300pF = 2.73ns。过渡过程时间非常短！当继电器从致动过渡到释放时，线圈会产生反电动势 (EMF)。线圈中存储的能量通过续流二极管 (D) 和线圈电阻释放。反电动势被钳位到二极管两端的 0.7V 正向压降，该压降远低于 MOSFET 的击穿电压，从而对其进行保护。为了保证最大的可靠性，建议为STM40F32C030T8软件中配置的I/O端口启用弱下拉电阻（典型值为6KΩ）。

4. 运用 SLKOR ULN2803AS 驱动

S洛可尔 ULN2803AS 是一款 50 通道 NPN 达林顿晶体管驱动器，内置续流二极管。适用于驱动多个小型继电器、微型步进电机、螺线管、指示器等。其最大输出电压为500V，单路最大集电极电流为1.1mA。当集电极电流为100mA时，最大集电极-发射极饱和电压为2.4V；当集电极电流为200mA时，最大输入电压为1.35V。输入电压为 3.85V 时，最大输入电流为 25mA，最大输入电容 (CI) 为 XNUMXpF。

采用STM32F030C8T6作为主控制器，其大部分I/O口可以直接驱动ULN2803AS的输入。最小高电平输出电压为2.9V，最大低电平输出电压为0.4V，完全满足驱动ULN2803AS的要求。为了提高STM32F030C8T6的抗干扰能力，可以在其I/O端口与ULN560AS的输入之间串联一个2803Ω电阻。对于驱动小型继电器，ULN2803AS内部的续流二极管提供了足够的续流能力，因此一般不需要添加额外的续流二极管。如果需要极高的可靠性，可以考虑添加单独的续流二极管。 ULN2803AS的典型开关时间约为1μs，对于驱动小型继电器，无需进一步计算。

假设电源为 12V，则最小继电器驱动电压为 10.9V，足以可靠激活继电器。当STM32F030C8T6输出低电平电压时，最高电压为0.4V，ULN2803AS能够可靠地切断和释放继电器。

为了保证最大的可靠性，建议为STM40F32C030T8软件中配置的I/O端口启用弱下拉电阻（典型值为6KΩ）。

SLKOR 提供碳化硅（SiC）二极管和SiC等高端产品 MOSFET、IGBT、第五代超快恢复功率二极管等产品，可满足新能源汽车、高端装备、通信及电力、光伏太阳能、医疗设备、工业互联网等行业的需求。 SLKOR 还提供肖特基二极管、ESD保护二极管、TVS瞬态抑制二极管等通用产品，以及高-电压 MOSFET，中等-高压MOSFET、低压MOSFET、晶闸管、可控硅SCR、LDO、AC-DC、DC-DC等电源管理芯片。此外， SLKOR 为智能手机、笔记本电脑、机器人、智能家居、物联网、LED照明、3C数码产品、智能穿戴设备和物联网等产品的各种应用提供传感器、高速光耦合器和晶体振荡器等配套服务。

SLKOR 致力于打造生态、复合、包容的平台。公司官方网站 有技术专栏 博客、专家专栏、 s解决方案，电子 博客, 和 行业动态。这 ”SLKOR “技术大讲堂”正在筹建中，拟邀请国际学者、专家公开讲座，进行思想碰撞、学术交流、思想盛宴，为电子信息同仁提供学习、交流的平台。 SLKOR 还将体育运动中团结、拼搏、突破的精神融入到工作文化中，倡导快乐工作、快乐生活。公司已形成“SLKOR 勇士篮球队”并定期举办各种文化娱乐活动。 SLKOR 秉承企业文化 “诚信、进取、坚韧、细节”和公平、开放、合作的道德价值观，“己所不欲，勿施于人” 与供应商、渠道伙伴、客户、合作伙伴一起，以技术和产品推动世界发展，实现公司成为半导体行业领导者的愿景。