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Samsung Electronics erforscht „Hafnium-basiertes Ferroelektrikum“ als NAND-Flash-Speichermaterial der nächsten Generation. Sie planen, bis zum Jahr 1,000 mehr als 3 Schichten für ihr 2030D-NAND zu erreichen
2024-06-05 976

Internationale Nachrichten:

1. Am 2. Juni kündigte NVIDIA die Einführung des Blackwell Ultra AI-Chips im Jahr 2025 an und gab bekannt, dass die KI-Plattform der nächsten Generation mit dem Namen „Rubin“ im Jahr 2026 erscheinen wird.

2. Samsung Electronics erforscht „Hafnium-basiertes Ferroelektrikum“ als NAND-Flash-Speichermaterial der nächsten Generation. Sie planen, bis zum Jahr 1,000 mehr als 3 Schichten für ihr 2030D-NAND zu erreichen.

3. Die Semiconductor Wafer Test Conference 2024 findet vom 3. bis 5. Juni in Kalifornien, USA, statt. Der Schwerpunkt dieser Konferenz liegt auf mikroelektronischen Wafer- und Chip-Level-Tests, einschließlich 23 Präsentationen zur Halbleitertechnologie.

4. Microsoft plant, in Schweden 3.2 Milliarden US-Dollar in den Bau von Rechenzentren zu investieren, die sich auf künstliche Intelligenz (KI) und Cloud-Dienste konzentrieren.

5. Kinghelm (www.kinghelm.net) und Slkors offizielle Website haben „Empowering New Quality Productivity with AI“ von Song Shiqiang veröffentlicht, das von mehreren Medien, darunter Xinhua Liaowang, erneut veröffentlicht wurde.

6. Der südkoreanische Halbleiterausrüstungshersteller Yesty gab bekannt, dass er von Samsung Electronics Aufträge im Wert von 60 Milliarden koreanischen Won (ca. 43.5 Millionen US-Dollar) für Pressgeräte für Speicher mit hoher Bandbreite (HBM) und Umgebungsdruckgeräte erhalten hat.


China-Nachrichten:

1. Am 31. Mai unterzeichnete der Verwaltungsausschuss der Texas Tianqu New Area eine Investitionsvereinbarung mit Guangdong Xindaixi Materials für das Industrialisierungsprojekt von Halbleiter-Laserradar- und Sensorkomponenten, die sich offiziell in der neuen Region niederließen.

2. Guangdong

3. Am 30. Mai fand im Forschungsinstitut die Unterzeichnungszeremonie und die Enthüllung des gemeinsamen Labors für Halbleitermaterialien statt, das gemeinsam vom China-Singapore International Joint Research Institute und Guangzhou Weinaxin Materials errichtet wurde.

4. UMC entwickelt aktiv die 12-nm-FinFET-Prozesstechnologieplattform (12FFC), die in verschiedenen Halbleiterprodukten weit verbreitet eingesetzt werden kann. Es wird erwartet, dass es bis 2026 entwickelt wird und bis 2027 in die Massenproduktion geht.

5. Die Zhangjiang Chip Testing Public Service Platform steht kurz vor dem Start. Die von Zhangjiang High-Tech und Hualing gemeinsam entwickelte Plattform wird die Geschwindigkeit der Chipproduktion vom Design bis zur Massenproduktion beschleunigen.

6. Am 28. Mai verabschiedete Taiwan Semiconductor den Plan zur Geschäftstrennung des 8-Zoll-GaN-Geschäfts (Galliumnitrid), das von seiner Tochtergesellschaft Guanya Semiconductor übernommen wird.


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