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SL60N10Q N-Kanal-Leistungs-MOSFET DFN5x6-8

● Niedrige Gate-Ladung

● Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(ON)

● Ausgezeichnetes Gate Charge x RDS(ON) Produkt

Allgemeine Beschreibung
Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS (EIN)
Niedrige Gate-Ladung
Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS (EIN) Produkt

Anwendungen
Hochfrequenzschaltung und Synchrongleichrichtung

Produktübersicht
● VDS     100V
● ID         60A
● RDS (EIN) (ein FernseherGS =10V) < 11.5mΩ
● RDS (EIN) (ein FernseherGS =4.5V) < 15 mΩ
100 % DVDS-getestet
100 % UIS-getestet
100 % Rg-getestet


Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
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