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BC847B NPN-Bipolartransistor SOT-23
Der BC847B ist ein NPN-Bipolartransistor (BJT), der für allgemeine Kleinsignalverstärkungs- und Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er bietet einen Vceo von 45 V und einen maximalen Kollektorstrom (Ic) von 100 mA und ist in einem kompakten SOT-23-Gehäuse untergebracht. Dieser Transistor ist für seine hohe Stromverstärkung und niedrige Sättigungsspannung bekannt, wodurch er für eine Vielzahl elektronischer Schaltungen geeignet ist, bei denen Effizienz und Zuverlässigkeit entscheidend sind.
NPN-Silizium-Epitaxie-Planartransistor
Unsere Vorteile
Chinesische Herstellungsprozesse wurden jahrelang iteriert, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien führte. Viele internationale Konzerne entscheiden sich für die Auslagerung der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte in 99 % der Anwendungen die Produkte großer internationaler Marken vollständig ersetzen, ohne dass eine Testverifizierung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonstanz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Lieferung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Beschreibung:
Der BC847B ist ein NPN-Bipolartransistor (BJT), der für allgemeine Kleinsignalverstärkungs- und Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er bietet einen Vceo von 45 V und einen maximalen Kollektorstrom (Ic) von 100 mA und ist in einem kompakten SOT-23-Gehäuse untergebracht. Dieser Transistor ist für seine hohe Stromverstärkung und niedrige Sättigungsspannung bekannt, wodurch er für eine Vielzahl elektronischer Schaltungen geeignet ist, bei denen Effizienz und Zuverlässigkeit entscheidend sind.
Eigenschaften
● Für Schalt- und NF-Verstärkeranwendungen.
● Als Komplementärtypen die PNP-Transistoren.
● BC856...BC858 wird empfohlen.
Anwendungen:
● Der NPN-Transistor BC847B eignet sich gut für eine Vielzahl von elektronischen Anwendungen, darunter:
● Signalverstärkung: Wird in Audioverstärkern, Sensorschnittstellen und anderen Kleinsignalverstärkungsschaltungen verwendet.
● Schaltkreise: Effiziente Schaltvorgänge aufgrund niedriger Sättigungsspannung, ideal für Schaltanwendungen mit geringem Stromverbrauch.
● HF-Verstärkung: Geeignet für Hochfrequenz-Signalverstärkung bis zu 300 MHz.
● Spannungsregelung: Wird in Spannungsreglern und Energiemanagementschaltungen in Geräten mit geringem Stromverbrauch verwendet.
● Sensorschnittstellen: Sorgt für Signalaufbereitung und -verstärkung in Sensoranwendungen.
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Unterstützung
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.
13001 NPN-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
13001S NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor，
2N2222A NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor，
2N3904 NPN BJT Transistor TO-92
Marke: slkor，
2N3906 NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor，
2N5401 PNP-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 600mA
2N5551 NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 600mA
2SA1015-B PNP-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor，
2SA1037-R PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor，
2SA1162-Y PNP-Bipolartransistor
Marke: slkor，
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Das Produktsortiment von SLKOR umfasst diskrete Bauelemente wie Dioden, Transistoren und Leistungshalbleiter sowie integrierte Schaltkreise wie Linearregler, DC/DC-Wandler, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS. Wir verfügen über jahrelange Erfahrung in der Halbleitertechnik.
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