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2SC2712-Y NPN-Bipolartransistor SOT-23
Der 2SC2712-Y ist ein vielseitiger bipolarer NPN-Transistor, der für präzise Verstärkungs- und Schaltanwendungen in elektronischen Schaltkreisen entwickelt wurde. Dieser Transistor ist in einem kompakten TO-92-Gehäuse untergebracht, verfügt über eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) von 50 V und kann einen kontinuierlichen Kollektorstrom (Ic) von bis zu 150 mA verarbeiten. Mit einer Verlustleistung (Pd) von 150 mW bewältigt er die Wärmeableitung in verschiedenen Schaltkreiskonfigurationen effizient. Der 2SC2712-Y zeichnet sich durch eine niedrige Sättigungsspannung (VCE(sat)) von 250 mV bei 100 mA Kollektorstrom und 10 mA Basisstrom aus, wodurch ein minimaler Energieverlust während des Betriebs gewährleistet wird. Er bietet eine hohe Gleichstromverstärkung (hFE) von 120 bei 2 mA Kollektorstrom und 6 V Kollektor-Emitter-Spannung (Vce) und ist daher für Anwendungen geeignet, die eine präzise Signalverstärkung und -steuerung erfordern.
Unsere Vorteile
Chinesische Herstellungsprozesse wurden jahrelang iteriert, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien führte. Viele internationale Konzerne entscheiden sich für die Auslagerung der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte in 99 % der Anwendungen die Produkte großer internationaler Marken vollständig ersetzen, ohne dass eine Testverifizierung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonstanz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Lieferung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Beschreibung:
Der 2SC2712-Y ist ein vielseitiger bipolarer NPN-Transistor, der für präzise Verstärkungs- und Schaltanwendungen in elektronischen Schaltkreisen entwickelt wurde. Dieser Transistor ist in einem kompakten TO-92-Gehäuse untergebracht, verfügt über eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) von 50 V und kann einen kontinuierlichen Kollektorstrom (Ic) von bis zu 150 mA verarbeiten. Mit einer Verlustleistung (Pd) von 150 mW bewältigt er die Wärmeableitung in verschiedenen Schaltkreiskonfigurationen effizient. Der 2SC2712-Y zeichnet sich durch eine niedrige Sättigungsspannung (VCE(sat)) von 250 mV bei 100 mA Kollektorstrom und 10 mA Basisstrom aus, wodurch ein minimaler Energieverlust während des Betriebs gewährleistet wird. Er bietet eine hohe Gleichstromverstärkung (hFE) von 120 bei 2 mA Kollektorstrom und 6 V Kollektor-Emitter-Spannung (Vce) und ist daher für Anwendungen geeignet, die eine präzise Signalverstärkung und -steuerung erfordern.
Merkmale:
● Hohe Spannung und hoher Strom: VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max.)
● Ausgezeichnet hFE Linearität: hFE (IC = 0.1 mA)/ hFE (IC = 2 mA)= 0.95 (typ.)
● Hoch hFE: HFE = 70 700
● Geräuscharm: NF = 1 dB (typ.), 10 dB (max.)
Anwendungen:
Der Transistor 2SC2712-Y eignet sich für zahlreiche Anwendungen:
● Signalverstärkung: Bietet präzise Verstärkung in Audio- und anderen Signalschaltkreisen mit geringem Stromverbrauch.
● Schaltanwendungen: Effizientes Schalten von Signalen in Logikschaltungen und kleinen Schaltanwendungen.
● Spannungsregelung: Steuert Spannungspegel in Spannungsreglern und Energieverwaltungsschaltungen.
● Sensorschnittstellen: Schnittstellen zu Sensoren aufgrund des geringen Stromverbrauchs und der hohen Verstärkungseigenschaften.
● Temperaturüberwachung: Geeignet für Temperaturerfassungsanwendungen mit einer Betriebstemperatur von bis zu +125 °C.
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Support
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.
13001 NPN-Bipolartransistor SOT-23
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ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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