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IRF7341 N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOP-8

● Umweltfreundliches Gerät verfügbar.

● Hervorragende Verpackung für gute Wärmeableitung.

● Fortschrittliche Hochzellen-Grabentechnologie für extrem niedrigen RDS(ON)

Beschreibung

Dieser Dual-N-Kanal-MOSFET nutzt fortschrittliche Trench-Technologie und ein entsprechendes Design, um einen ausgezeichneten RDS(on)-Wert bei geringer Gate-Ladung zu erzielen. Er kann in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden.


Eigenschaften

● VDS=60V, ID=5A, RDS(ON)<36mΩ@VGS=10V

● Niedrige Gate-Ladung.

● Umweltfreundliches Gerät verfügbar.

● Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte für extrem niedrige RDS(ON).

● Hervorragende Verpackung für gute Wärmeableitung.






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