Service-Hotline
● Umweltfreundliches Gerät verfügbar.
● Hervorragende Verpackung für gute Wärmeableitung.
● Fortschrittliche Hochzellen-Grabentechnologie für extrem niedrigen RDS(ON)
Beschreibung
Dieser Dual-N-Kanal-MOSFET nutzt fortschrittliche Trench-Technologie und ein entsprechendes Design, um einen ausgezeichneten RDS(on)-Wert bei geringer Gate-Ladung zu erzielen. Er kann in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden.
Eigenschaften
● VDS=60V, ID=5A, RDS(ON)<36mΩ@VGS=10V
● Niedrige Gate-Ladung.
● Umweltfreundliches Gerät verfügbar.
● Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte für extrem niedrige RDS(ON).
● Hervorragende Verpackung für gute Wärmeableitung.
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.















