Unsere Vorteile
- Hoher kontinuierlicher Kollektorstrom bis zu 3 A für starke Leistungsansteuerung
- Hervorragende Gleichstromverstärkung für hochempfindliche Steuerung
- Extrem niedrige Sättigungsspannung reduziert Leistungsverluste und verbessert den Wirkungsgrad.
- Ergänzend zu 2SB1412 für Gegentakt-Schaltungsdesigns
- SOT-89-Gehäuse mit guter Wärmeableitung
- Stabile Leistung über einen weiten Temperaturbereich
- Ideal für Hochleistungstreiber- und Schaltanwendungen
Beschreibung
Der 2SD2150 ist ein NPN-Hochstrom-Siliziumtransistor im SOT-89-Gehäuse (Oberflächenmontage). Er zeichnet sich durch eine hervorragende Stromverstärkung, eine niedrige Sättigungsspannung und eine hohe Strombelastbarkeit aus und ist für Schaltanwendungen im mittleren bis hohen Leistungsbereich, Treiberschaltungen und Verstärker konzipiert. Er ist komplementär zum 2SB1412 und findet breite Anwendung im Energiemanagement, in der Motorsteuerung und in Audiotreibersystemen.
Funktionen
- NPN-Hochstromtransistor
- SOT-89 Oberflächenmontagegehäuse
- Ausgezeichnete Gleichstromverstärkungseigenschaften
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat)
- Ergänzung zu 2SB1412
- hFE-Klassen: R (180–390), S (270–560)
- VCBO = 40 V, VCEO = 20 V, VEBO = 6 V
- Kontinuierlicher Kollektorstrom: IC = 3 A
- Verlustleistung: PC = 500 mW
- Übergangsfrequenz: fT = 290 MHz (typ.)
- Sperrschicht-/Lagertemperatur: −55℃ bis +150℃
Anwendungen
- Hochstromtreiberschaltungen
- Motorsteuerung und Antrieb
- Energiemanagement und DC/DC-Wandler
- Audio-Leistungsverstärkerstufen
- LED-Beleuchtungstreibermodule
- Industrielle Steuerungsausrüstung
- Mittelleistungs-Schaltkreise
- Batteriebetriebene Stromversorgungsgeräte