Unsere Vorteile
- Hoher Dauerkollektorstrom bis zu 3 A für starke Lasten
- Niedrige Sättigungsspannung für hohen Wirkungsgrad und geringe Verlustleistung
- Hervorragende und stabile Gleichstromverstärkung für zuverlässige Steuerung
- SOT-89-Gehäuse mit guter Wärmeableitung
- Großer Betriebstemperaturbereich für industrielle Anwendungen
- Stabile elektrische Parameter und hohe Chargenkonsistenz
- Gurtverpackung, geeignet für die automatisierte SMT-Bestückung
Beschreibung
Der 2SB1424-R ist ein PNP-Hochstrom-Siliziumtransistor im SOT-89-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er zeichnet sich durch eine niedrige Sättigungsspannung und eine hervorragende Gleichstromverstärkung aus und ist für Hochstromschaltungen, Treiberschaltungen und Leistungsverstärkungen konzipiert. Die R-Klasse bietet einen hFE-Wert von 180 bis 390 für eine stabile und konstante Leistung.
Funktionen
- PNP-Hochstromtransistor
- SOT-89 Oberflächenmontagegehäuse
- Niedrige Sättigungsspannung VCE(sat)
- Ausgezeichnete Gleichstromverstärkungseigenschaften
- hFE-Klasse R: 180–390
- VCBO = −20 V, VCEO = −20 V, VEBO = −6 V
- Kontinuierlicher Kollektorstrom: IC = −3A
- Verlustleistung: PD = 500 mW
- Übergangsfrequenz: fT = 240 MHz (typ.)
- Sperrschicht-/Lagertemperatur: −55℃ bis +150℃
Anwendungen
- Hochstromtreiberschaltungen
- Motorsteuerungs- und Antriebssysteme
- DC-DC-Wandler und Energiemanagement
- Audio-Leistungsverstärkerstufen
- LED-Beleuchtungstreibermodule
- Industrielle Steuerungsausrüstung
- Mittelleistungs-Schaltkreise
- Batteriebetriebene Stromversorgungsgeräte