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BC847C NPN-Bipolartransistor SOT-23
Der BC847C ist ein universeller NPN-Transistor im SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er zeichnet sich durch hohe Gleichstromverstärkung, niedrige Sättigungsspannung und zuverlässiges Schaltverhalten aus und findet breite Anwendung in der Signalverstärkung, der Audiofrequenzverstärkung (NF-Verstärkung) und allgemeinen Schaltvorgängen in verschiedenen elektronischen Schaltungen.
Unsere Vorteile
- Standard-SOT-23-Gehäuse, kompatibel mit automatischen Montageanlagen
- Hohe und stabile Gleichstromverstärkung für eine gleichbleibende Verstärkung
- Niedrige Sättigungsspannung für hocheffizientes Schalten
- Mehrere Spannungsstufen für flexibles Design verfügbar
- Breiter Betriebstemperaturbereich für industrielle und private Anwendungen
- Kompakte Größe, ideal für hochdichte Leiterplattenlayouts
- RoHS-konform für globale Marktanwendungen
Beschreibung
Der BC847C ist ein universeller NPN-Transistor im SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er zeichnet sich durch hohe Gleichstromverstärkung, niedrige Sättigungsspannung und zuverlässiges Schaltverhalten aus und findet breite Anwendung in der Signalverstärkung, der Audiofrequenzverstärkung (NF-Verstärkung) und allgemeinen Schaltvorgängen in verschiedenen elektronischen Schaltungen.
Funktionen
- NPN-Universaltransistor
- SOT-23 Oberflächenmontagegehäuse
- Geeignet für automatische Einfügung
- Konzipiert für Schalt- und NF-Verstärkeranwendungen
- VCBO = 50 V, VCEO = 45 V, VEBO = 6 V
- Gleichstromverstärkung (hFE): 420–800 (C-Rang)
- Kontinuierlicher Kollektorstrom: IC = 0.1 A
- Verlustleistung: PC = 200 mW
- Übergangsfrequenz: fT = 100 MHz (typ.)
- Sperrschicht-/Lagertemperatur: −55℃ bis +150℃
- Kennzeichnung: 1G
Anwendungen
- Allgemeine Signalverstärkung
- Audiofrequenz-(AF)-Verstärkerschaltungen
- Niedrigleistungs-Schaltkreise
- Unterhaltungselektronik
- Industrielle Steuermodule
- Tragbare elektronische Geräte
- SMT-Schaltungsdesigns mit hoher Dichte
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Support
SS30101-Q PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SD2098-R NPN-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMDT4401 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SC4373-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SC2757 T33 NPN Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMBT589 PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SC2881-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMDT5551 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
M28S NPN-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMBT2222AT NPN-Bipolartransistor SOT-523
Marke: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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