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Wir präsentieren den S8050 NPN-Bipolartransistor, ein robustes und vielseitiges Bauteil für allgemeine Schalt- und Verstärkungsanwendungen. Im kompakten SOT-23-Gehäuse bietet dieser Transistor eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung (V<sub>CE0</sub>) von 25 V und erfüllt damit gängige Schaltungsanforderungen. Mit einem Dauerkollektorstrom (I<sub>C</sub>) von bis zu 0.5 A und einer Kollektorverlustleistung von 0.3 W gewährleistet er einen zuverlässigen Betrieb in verschiedenen Umgebungen. Der S8050 zeichnet sich durch eine niedrige Sättigungsspannung (V<sub>CE(sat)</sub>) von 0.6 V und eine Grenzfrequenz (f<sub>T</sub>) von 150 MHz aus und eignet sich daher sowohl für Schalt- als auch für Verstärkungsaufgaben. Er ist komplementär zum S8550 PNP-Transistor.
Chinesische Herstellungsprozesse haben jahrelange Iterationen durchlaufen, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien geführt hat. Viele internationale Unternehmen entscheiden sich für das Outsourcing der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte die Produkte großer internationaler Marken in 99 % der Anwendungen vollständig ersetzen, ohne dass eine Prüfung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonsistenz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Versorgung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Wir präsentieren den S8050 NPN-Bipolartransistor, ein robustes und vielseitiges Bauteil für allgemeine Schalt- und Verstärkungsanwendungen. Im kompakten SOT-23-Gehäuse bietet dieser Transistor eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung (V<sub>CE0</sub>) von 25 V und erfüllt damit gängige Schaltungsanforderungen. Mit einem Dauerkollektorstrom (I<sub>C</sub>) von bis zu 0.5 A und einer Kollektorverlustleistung von 0.3 W gewährleistet er einen zuverlässigen Betrieb in verschiedenen Umgebungen. Der S8050 zeichnet sich durch eine niedrige Sättigungsspannung (V<sub>CE(sat)</sub>) von 0.6 V und eine Grenzfrequenz (f<sub>T</sub>) von 150 MHz aus und eignet sich daher sowohl für Schalt- als auch für Verstärkungsaufgaben. Er ist komplementär zum S8550 PNP-Transistor.
● Komplementäre Paarung mit dem S8550 PNP-Transistor
● Moderate Strombelastbarkeit: Kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic) bis zu 0.5 A für allgemeine Treiberschaltungen.
● Niedrige Sättigungsspannung: Eine maximale VCE(sat) von 0.6 V gewährleistet einen effizienten Betrieb bei minimalem Leistungsverlust.
● Kompaktes Gehäuse: Das SOT-23-Gehäuse bietet platzsparende Vorteile bei gleichbleibender Zuverlässigkeit.
● Hohe Übergangsfrequenz: fT mindestens 150 MHz für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen.
● Breiter Betriebstemperaturbereich: Sperrschichttemperatur bis zu 150°C, was Langlebigkeit und Stabilität unter Hochtemperaturbedingungen gewährleistet.
● Universelles Schalten: Ideal für Anwendungen, die zuverlässiges Schalten von Signalen und kleinen Strömen bei kompakter Bauform erfordern.
● Signalverstärkung: Geeignet für den Einsatz in Kleinsignalverstärkerschaltungen.
● Impulsschaltungen: Effizient in Schaltungen, die robuste Impulsschaltfähigkeiten und Stabilität erfordern.
● Unterhaltungselektronik: Ideal für Unterhaltungselektronikgeräte und Steuerungssysteme zur Signalansteuerung und für Logikschaltungen.















