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SL3404 Mejora del canal N MOSFET SOT-23
● Alta capacidad de corriente: Id 5A para aplicaciones exigentes.
● Funcionamiento eficiente: RDS(on) bajo a Vgs 10V.
● Diseño compacto: SOT-23 para una integración que ahorra espacio.
MOSFET de potencia de canal N
| Característica | Símbolo | Max | Unidad |
| Voltaje de fuente de drenaje | BVDSS | 30 | V |
| Voltaje de fuente de puerta | VGS | 20 | V |
| Corriente de drenaje (continua) | ID | 5 | A |
| Corriente de drenaje (pulsada) | IDM | 18 | A |
| Disipación total del dispositivo | PD | 1400 | mW |
| TA = 25 ℃ | |||
| Unión | TJ | 150 | ℃ |
| Temperatura de almacenamiento | TSTG | -55 a + 150 | ℃ |
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ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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