Hotline usługi
● Wysoka obciążalność prądowa: Id 5A dla wymagających zastosowań.
● Wydajna praca: Niski RDS(on) przy Vgs 10V.
● Kompaktowa konstrukcja: SOT-23 zapewniająca integrację oszczędzającą miejsce.
Tranzystor MOSFET z kanałem N
| Charakterystyka | symbol | Max | Jednostka |
| Napięcie dren-źródło | BVDSS | 30 | V |
| Napięcie źródła bramki | rozszerzenie VGS | 20 | V |
| Prąd spustowy (ciągły) | ID | 5 | A |
| Prąd spustowy (impulsowy) | IDM | 18 | A |
| Całkowite rozproszenie urządzenia | PD | 1400 | mW |
| TA = 25 ℃ | |||
| Skrzyżowanie | TJ | 150 | ℃ |
| Temperatura przechowywania | Tstg | -55 do + 150 | ℃ |
Wsparcie
Jeśli potrzebujesz wsparcia technicznego lub projektowego, daj nam znać i wypełnij Formularz odpowiedzi. Odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
Długowieczność
Program Długowieczności ma na celu okresowe informowanie naszych klientów o przewidywanym czasie realizacji zamówień na nasze produkty. Program NLP jest regularnie weryfikowany i aktualizowany przez nasz Zespół Zarządzający. Zapoznaj się z naszym programem długowieczności tutaj.





