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MOSFET SOT-3404 d'amélioration du canal N SL23
● Capacité de courant élevée : Id 5A pour les applications exigeantes.
● Fonctionnement efficace : Faible RDS(on) à Vgs 10V.
● Conception compacte : SOT-23 pour une intégration peu encombrante.
MOSFET de puissance à canal N
| Caractéristique | Symbole | Max | Unité |
| Tension-Drain-Source | BVDSS | 30 | V |
| Tension porte-source | VGS | 20 | V |
| DrainCourant (continu) | ID | 5 | A |
| DrainCurrent (pulsé) | IDM | 18 | A |
| Dissipation totale du périphérique | PD | 1400 | mW |
| TA=25℃ | |||
| Jonction | TJ | 150 | ℃ |
| Température de stockage | TSTG | -55 à + 150 | ℃ |
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ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
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