Transistor PNP BCP51-16 de Slkor : transistor de puissance audio SOT-223, tension nominale de 45 V et courant de 1 A

Le BCP51-16 est un transistor bipolaire PNP appartenant à la série BCP51~BCP53, encapsulé en SOT-223. Ce composant se caractérise par un courant de collecteur relativement élevé et une faible tension de saturation collecteur-émetteur. Son gain en courant continu est compris entre 100 et 250. Il convient aux circuits d'entrée audio et d'étage de sortie, et possède des transistors NPN complémentaires tels que les BCP54 à BCP56. Ce document présente les paramètres clés, les caractéristiques et les applications du composant, fournit des suggestions d'utilisation et offre une description complète du produit.

I. Paramètres de base du produit

Sauf indication contraire, tous les tests sont effectués à une température ambiante de 25℃.

1. Évaluations maximales

1. Tension inverse collecteur-base : -45 V
2. Tension inverse collecteur-émetteur : -45 V
3. Tension inverse émetteur-base : -5 V
4. Courant de collecteur continu : -1 A
5. Dissipation de puissance du collecteur : 1.5 XNUMX W
6. Résistance thermique jonction-ambiante : 94 °C/W
7. Plage de température de stockage : -65℃ ~ +150℃

2. Caractéristiques électriques

1. Tension de claquage collecteur-émetteur : -45 V, conditions de test : courant de collecteur -10 mA, circuit de base ouvert
2. Courant de coupure du collecteur : valeur maximale -100 nA, conditions de test : tension base-collecteur -30 V, émetteur en circuit ouvert
3. Gain en courant continu : - Courant de collecteur : -5 mA, tension collecteur-émetteur : -2 V, valeur minimale : 25 - Courant de collecteur : -150 mA, tension collecteur-émetteur : -2 V, plage de gain : 100-250 (classement BCP51-16) - Courant de collecteur : -500 mA, tension collecteur-émetteur : -2 V, valeur minimale : 25
4. Tension de saturation collecteur-émetteur : valeur maximale -0.5 V, conditions de test : courant de collecteur -500 mA, courant de base -50 mA
5. Tension base-émetteur : valeur maximale -1 V, conditions de test : courant de collecteur -500 mA, tension collecteur-émetteur -2 V
6. Fréquence de transition : valeur minimale de 100 MHz, conditions de test : tension collecteur-émetteur de -10 V, courant de collecteur de -50 mA, fréquence de test de 100 MHz

3. Définition des broches (boîtier SOT-223)

Broche 1 : Base ; Broche 2 : Collecteur ; Broche 3 : Émetteur

II. Principales caractéristiques du produit

1. Il s'agit d'un transistor bipolaire PNP. Des dispositifs NPN complémentaires, de BCP54 à BCP56, sont disponibles, ce qui facilite la conception de circuits push-pull.
2. Elle supporte un courant de collecteur continu maximal de 1 A et une dissipation de puissance de 1.5 W. Le boîtier SOT-223 offre une dissipation thermique optimale.
3. Une faible tension de saturation collecteur-émetteur réduit les pertes de puissance à l'état de mise sous tension.
4. La version BCP51-16 possède un gain en courant continu allant de 100 à 250 avec une forte capacité d'amplification pour les scénarios d'entraînement à courant moyen.
5. La fréquence de transition ne doit pas être inférieure à 100 MHz afin de satisfaire aux exigences de traitement des signaux de moyenne et haute fréquence.
6. Sa large plage de températures de stockage et de fonctionnement s'adapte à un environnement allant de -65℃ à +150℃.

III. Principaux domaines d'application

1. Circuits de commande d'amplificateurs audio et circuits d'étage de sortie audio.
2. Circuits de commande de commutation à courant faible et moyen.
3. Circuits amplificateurs push-pull nécessitant l'appariement de dispositifs PNP et NPN correspondants.
4. Circuits d'amplification de signal et de commande de charge à usage général pour équipements industriels.

IV. Suggestions pour la conception technique

1. Sélection de la tension : Dans les circuits pratiques, les tensions de fonctionnement réelles du collecteur-base et du collecteur-émetteur doivent conserver une marge de sécurité suffisante et ne doivent pas approcher directement la valeur nominale de -45 V, afin d'éviter les dommages causés par une surtension.
2. Dissipation de puissance et gestion de la température : La dissipation de puissance maximale de 1.5 W est définie à une température ambiante de 25 °C. Lorsque la température ambiante dépasse 120 °C, la dissipation de puissance admissible du dispositif doit être réduite. Compte tenu de la résistance thermique jonction-ambiante de 94 °C/W, l’élévation de température réelle doit être évaluée afin d’éviter que la température de jonction ne dépasse la limite admissible du dispositif.
3. Conception actuelle : Le courant de collecteur continu ne doit pas dépasser 1 A. Dans des conditions de fonctionnement à forte saturation de courant, un courant de commande de base suffisant doit être garanti pour assurer l’amorçage à saturation, contrôler la chute de tension à saturation et réduire la génération de chaleur.
4. Remarques sur le gain : Le gain en courant continu varie en fonction du courant de collecteur et de la température ambiante. Il diminue en cas de courant élevé. La conception du circuit ne doit pas se baser uniquement sur le gain nominal indiqué dans la fiche technique ; une marge de sécurité suffisante doit être prévue.
5. Courant de fuite à la coupure : Le courant de fuite à la coupure du collecteur augmente significativement avec la température. Il convient de tenir compte des conséquences de ce courant de fuite pour les applications à haute température.
6. Appariement complémentaire : Pour les applications de sortie push-pull, les transistors NPN de la série BCP54~BCP56 peuvent être sélectionnés comme dispositifs appariés.

V. Résumé du produit

Le BCP51-16 est un transistor de puissance PNP en boîtier SOT-223, supportant une tension de 45 V, un courant continu de 1 A et une dissipation de puissance de 1.5 W. Il se caractérise par une faible chute de tension de saturation, un facteur d'amplification élevé et des équivalents NPN complémentaires. Ce composant est principalement destiné aux circuits de commande et de sortie audio, mais convient également à des circuits d'usage général tels que les commutateurs de faible et moyenne intensité et les amplificateurs push-pull. Pour les applications industrielles, il est nécessaire d'adapter la tension, le courant et la dissipation de puissance aux variations de température. Les variations de gain et de courant de fuite en fonction de la température et du courant de fonctionnement doivent également être prises en compte afin de garantir un fonctionnement stable du circuit sur le long terme.

À propos de Slkor :

Slkor possède des bureaux de recherche et développement à Busan, en Corée du Sud, à Pékin, en Chine, et à Suzhou, en Chine. La plupart des opérations de fabrication, de conditionnement et de test des plaquettes sont effectuées en Chine. L'entreprise emploie et collabore avec des particuliers et des organisations du monde entier, avec un laboratoire de test des performances et de la fiabilité des produits et un entrepôt central situé à son siège social à Shenzhen. Slkor a déposé plus d'une centaine de brevets d'invention, propose plus de 2,000 XNUMX modèles de produits et sert plus de dix mille clients dans le monde. Ses produits sont exportés vers des pays et des régions tels que l'Europe, les Amériques, l'Asie du Sud-Est et le Moyen-Orient, ce qui en fait l'une des sociétés de semi-conducteurs à la croissance la plus rapide ces dernières années. Grâce à des systèmes de gestion bien établis et à des flux de travail rationalisés, Slkor a rapidement amélioré la notoriété de sa marque et la réputation de ses produits.SLKOR" par sa qualité exceptionnelle et ses services standardisés. Sa gamme de produits comprend trois grandes séries : diodes, transistors et dispositifs de puissance, avec l'introduction récente de nouveaux produits tels que des éléments Hall et des dispositifs analogiques, élargissant sa présence dans les capteurs, les microcontrôleurs Risc-v et d'autres catégories de produits.

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