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Diode redresseuse à récupération rapide ES2G SMA
La diode ES2G, fabriquée par Slkor et conditionnée en boîtier discret, est une diode à récupération ultrarapide. Elle convient aux alimentations et aux équipements électroniques nécessitant une récupération inverse rapide et un faible courant inverse.
Présentation du produit
La diode ES2G, fabriquée par Slkor et conditionnée en boîtier discret, est une diode à récupération ultrarapide. Elle convient aux alimentations et aux équipements électroniques nécessitant une récupération inverse rapide et un faible courant inverse.
Fonctionnalités clés
- Configuration des diodes : Discrète – convient à un fonctionnement autonome ou à une connexion en parallèle.
- Tension inverse CC (Vr) : 400 V – offre une capacité de tenue à la tension inverse élevée.
- Courant redressé moyen (Io) : 2 A – offre une capacité de gestion du courant redressé modérée.
- Tension directe (Vf) : 1.25 V à 2 A – tension directe mesurée à un courant de 2 A.
- Courant inverse (Ir) : 5 µA à 400 V – faible courant inverse pour contribuer à améliorer l’efficacité énergétique.
- Temps de récupération inverse (trr) : 35 ns – offre des performances de récupération inverse rapides.
- Température de jonction de fonctionnement (Tj) : -55℃ ~ +150℃ – prend en charge une large plage de températures de fonctionnement.
Applications
- Electronique de puissance
- Alimentations à découpage
- Adaptateurs de puissance
- Convertisseurs électriques
- Electronique automobile
Avantages de performance
- Capacité de tenue à une tension inverse élevée : tension inverse nominale de 400 V pour les applications moyenne tension.
- Capacité de gestion du courant redressé modéré : courant redressé moyen de 2 A pour répondre aux exigences générales en matière de courant.
- Faible tension directe : une tension directe de 1.25 V à 2 A contribue à réduire la consommation d'énergie.
- Faible courant inverse : 5 µA à 400 V de courant inverse pour une efficacité énergétique améliorée.
- Temps de récupération inverse rapide : temps de récupération inverse de 35 ns pour des performances de récupération rapide supérieures.
Nom
Objet
Description
Fiche technique
Assistance
Diode de redressement à récupération rapide ES1DF SMAF
Marque: slkor， VRRM(V)： 200V IO(A)： 1A VF(V)： 1V IR(A)： 5μA trr(ns)： 35ns Package： SMAF
Diode de redressement à récupération rapide ES1GF SMAF
Marque: slkor， VRRM(V)： 400V IO(A)： 1A VF(V)： 1.25V IR(A)： 5μA trr(ns)： 35ns Package： SMAF
Diode de redressement à récupération rapide ES2G SMC
Marque: slkor， VRRM(V)： 400V IO(A)： 2A VF(V)： 1.25V IR(A)： 5uA trr(ns)： 35ns Package： SMA
Diode de redressement à récupération rapide ES2GF SMAF
Marque: slkor， VRRM(V)： 400V IO(A)： 1A VF(V)： 1.25V IR(A)： 5μA trr(ns)： 35ns Package： SMAF
Diode de redressement à récupération rapide ES2JF SMAF
Marque: slkor， VRRM(V)： 600V IO(A)： 1A VF(V)： 1.68V IR(A)： 5μA trr(ns)： 35ns Package： SMAF
Diode de redressement à récupération rapide ES2JW SOD-123FL
Marque: slkor， VRRM(V)： 600V IO(A)： 2A VF(V)： 1.7V IR(A)： 5μA trr(ns)： 35ns Package： SOD-123FL
Diode de redressement à récupération rapide ES2M SMA
Marque: slkor， VRRM(V)： 1000V IO(A)： 2A VF(V)： 1.7V IR(A)： 5μA trr(ns)： 75ns Package： SMA
Diode de redressement à récupération rapide ES3DC SMC
Marque: slkor， VRRM(V)： 200V IO(A)： 3A VF(V)： 1.25V IR(A)： 5μA trr(ns)： 35ns Package： SMC
Diode de redressement à récupération rapide MURF1040CT TO-220F
Marque: slkor， VRRM(V)： 400V IO(A)： 5A VF(V)： 0.92V IR(A)： 0.01μA trr(ns)： 30ns Package： TO-220F
Diode de redressement à récupération rapide RS1DF SMAF
Marque: slkor， VRRM(V)： 200V IO(A)： 1A VF(V)： 1.3V IR(A)： 5μA trr(ns)： 150ns Package： SMAF
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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