כיוון התכנון הנוכחי עבור מודולי SiC הוא להשיג מבנה קומפקטי יותר. זה מושג באמצעות שימוש בטכנולוגיות סינטור כסף דו-צדדיות וקשירת חוטי נחושת, כמו גם תכנון של מצעים קרמיים מאלומיניום ניטריד (AlN) בעלי ביצועים גבוהים עבור לוחות PinFin מבוססי נחושת מקוררים בנוזל, ודומי אינדוקציה לניטור אותות מרובים (תואמים לריתוך ולחיתוך). נעשים מאמצים להשיג הפסדים נמוכים, מתח פריצה גבוה, התנגדות נמוכה במצב פעולה, צפיפות זרם גבוהה ואמינות גבוהה. תכנון טוב וטכנולוגיית תהליך מתקדמת מבטיחים ניצול מקסימלי של יתרונות טרנזיסטורי MOSFET מסיליקון קרביד בהתקנים.

גודל תא קטן יותר, התנגדות נמוכה יותר במצב פעיל, הפסדי מיתוג נמוכים יותר והגנה משופרת מפני תחמוצת שער הם מגמות הפיתוח העיקריות של טכנולוגיית MOSFET של סיליקון קרביד (SiC). מגמות אלו משתקפות בביצועים טובים יותר ואמינות גבוהה יותר ביישום. יתר על כן, צפיפות ההספק הגבוהה, מאפייני טמפרטורת הצומת הגבוהים ודרישות התדר הגבוה של התקני SiC מעלים גם הם דרישות גבוהות יותר לטכנולוגיות זיווד קיימות. נכון לעכשיו, חדשנות בתחום זיווד מודולי ההספק בסין מתמקדת בעיקר בכיוונים הבאים:

חומרים ותהליכי חיבור מתקדמים לעמידה בשינויי טמפרטורה גבוהים יותר:

שלושת הסוגים העיקריים של מצעי קרמיקה-נחושת המשמשים במודולי הספק הם כדלקמן: ל-AI2O3-DBC ההתנגדות התרמית הגבוהה ביותר אך עלות הייצור הנמוכה ביותר; ל-AlN-DBC יש את ההתנגדות התרמית הנמוכה ביותר אך קשיחות ירודה; לחומר קרמי Si3N4-AMB יש עמידות תרמית בינונית, קשיחות מצוינת ופרמטרי קיבולת תרמית יוצאי דופן, מה שמשפר מאוד את יכולת פיזור החום, יכולת נשיאת הזרם וצפיפות ההספק של המודול. Si3N4-AMB מתאים במיוחד ליישומי מודול SiC בדרגת רכב.

נתיבי חיבור קצרים יותר וטכנולוגיות חיבור מתקדמות להפחתת השראות טפילית עבור מאפייני התקן בתדר גבוה:

סינטר כסף היא כיום טכנולוגיית הריתוך המתקדמת ביותר בתחום מודולי SiC. זה יכול לעמוד במלואו בדרישות התובעניות של מודולי כוח בדרגת רכב עבור תנאי הפעלה בטמפרטורה גבוהה ונמוכה. בהשוואה לטכניקות הלחמה מסורתיות, סינטר כסף משיג אפס חללים, סינטר בטמפרטורה נמוכה לשירות בטמפרטורה גבוהה, ומפחית את עובי שכבת ההלחמה ב-60-70%. זה מתאים לחיבורי התקנים בטמפרטורה גבוהה. סינטר כסף מציע ביצועים חשמליים ותרמיים טובים יותר בהשוואה לחומרי הלחמה, עם עלייה של פי 5-6 במוליכות החשמלית ועלייה של פי 3-4 במוליכות התרמית. חברות רבות כבר ניסו לשדרג את כל חומרי ההלחמה המסורתיים בתוך מודולי הספק, כולל שבבים, נגדים וחיישנים, לתהליכי סינטר כסף.

שילוב של עיצוב מבנה אריזה וטופולוגיית מעגלים לניהול תרמי טוב יותר של המערכת:

על מנת להפוך את עיצוב הנתיב התרמי של מוצרי המודול לקומפקטי יותר ולאפשר עיצוב משולב קומפקטי ויעיל יותר של מערכות אינוורטר, כמו גם להפחית עוד יותר את עלויות המערכת הכוללות, שיפורים בפיזור החום וביכולת נשיאת הזרם מושגים באמצעות שינויים באריזה טפסים. נעשה שימוש במבנים פנימיים עם מספר שבבים המחוברים במקביל, כאשר למעגלים המקבילים הראשיים ולמעגלי ההנעה יש פרמטרים דומים כדי להבטיח את השיתוף הנוכחי בין שבבים מקבילים. חיישני טמפרטורה (PTC) מותקנים בתוך המודול, וה-PTCs ממוקמים ליד השבבים במיקום המרכזי של המודול, מה שמאפשר צימוד תרמי הדוק ומדידות טמפרטורה נוחות ומדויקות של המודול.