Obecnym kierunkiem projektowania modułów SiC jest uzyskanie bardziej zwartej struktury. Osiąga się to dzięki zastosowaniu technologii dwustronnego spiekania srebra i łączenia drutem miedzianym, a także dzięki zastosowaniu wysokowydajnych ceramicznych podłoży z azotku glinu (AlN) do chłodzonych cieczą płytek PinFin z miedzianą podstawą oraz zacisków indukcyjnych do monitorowania wielosygnałowego (kompatybilnych ze spawaniem i prasowaniem). Dąży się do osiągnięcia niskich strat, wysokiego napięcia przebicia, niskiej rezystancji w stanie przewodzenia, wysokiej gęstości prądu i wysokiej niezawodności. Dobra konstrukcja i zaawansowana technologia procesowa zapewniają maksymalizację zalet tranzystorów MOSFET z węglika krzemu w urządzeniach.

Mniejszy rozmiar ogniwa, niższa rezystancja w stanie włączenia, niższe straty przełączania i lepsza ochrona przed tlenkiem bramki to główne trendy rozwoju technologii MOSFET z węglika krzemu (SiC). Trendy te przekładają się na lepszą wydajność i wyższą niezawodność w zastosowaniach. Ponadto, wysoka gęstość mocy, wysoka temperatura złącza i wymagania dotyczące wysokiej częstotliwości w urządzeniach SiC również stawiają wyższe wymagania wobec istniejących technologii obudów. Obecnie innowacje w zakresie obudów modułów mocy w Chinach koncentrują się głównie na następujących kierunkach:

Zaawansowane materiały i procesy połączeniowe wytrzymujące większe wahania temperatur:

Trzy główne typy podłoży ceramiczno-miedzianych stosowanych w modułach mocy to: AI2O3-DBC ma najwyższą odporność termiczną, ale najniższy koszt produkcji; AlN-DBC ma najniższą odporność termiczną, ale słabą wytrzymałość; materiał ceramiczny Si3N4-AMB ma średnią odporność termiczną, doskonałą wytrzymałość i znakomite parametry pojemności cieplnej, co znacznie zwiększa zdolność modułu do rozpraszania ciepła, zdolność przewodzenia prądu i gęstość mocy. Si3N4-AMB jest szczególnie odpowiedni do zastosowań w modułach SiC klasy motoryzacyjnej.

Krótsze ścieżki połączeń i zaawansowane technologie połączeń w celu zmniejszenia indukcyjności pasożytniczej dla charakterystyk urządzeń o wysokiej częstotliwości:

Spiekanie srebra jest obecnie najbardziej zaawansowaną technologią spawania w dziedzinie modułów SiC. Może w pełni sprostać wymagającym wymaganiom modułów mocy klasy samochodowej w warunkach pracy w wysokich i niskich temperaturach. W porównaniu do tradycyjnych technik lutowania, spiekanie srebra osiąga zero pustych przestrzeni, spiekanie w niskiej temperaturze do pracy w wysokich temperaturach i zmniejsza grubość warstwy lutowniczej o 60-70%. Nadaje się do połączeń urządzeń w wysokich temperaturach. Spiekanie srebra zapewnia lepszą wydajność elektryczną i cieplną w porównaniu do materiałów lutowniczych, z 5-6-krotnym wzrostem przewodności elektrycznej i 3-4-krotnym wzrostem przewodności cieplnej. Wiele firm próbowało już ulepszyć wszystkie tradycyjne materiały lutownicze wewnątrz modułów mocy, w tym układy scalone, rezystory i czujniki, do procesów spiekania srebra.

Integracja projektu struktury obudowy i topologii obwodów w celu lepszego zarządzania temperaturą systemu:

Aby uczynić projekt ścieżki cieplnej produktów modułowych bardziej kompaktowym i umożliwić bardziej kompaktowy i wydajny zintegrowany projekt systemów inwerterowych, a także dalej obniżyć ogólne koszty systemu, ulepszenia w rozpraszaniu ciepła i obciążalności prądowej są osiągane poprzez zmiany w formach pakowania. Stosowane są struktury wewnętrzne z wieloma równolegle połączonymi układami scalonymi, w których główne obwody równoległe i obwody sterujące mają podobne parametry, aby zapewnić dzielenie się prądem między układami scalonymi. Czujniki temperatury (PTC) są instalowane wewnątrz modułu, a PTC są umieszczane w pobliżu układów scalonych w środkowej pozycji modułu, umożliwiając ścisłe sprzężenie termiczne i wygodne i dokładne pomiary temperatury modułu.