מוצרים
מוצרים
SL160N03Q N-Channel Enhancement MOSFET PDFN-8L(5x6)

● החלפה מהירה

● נבדק 100% מפולת

● יכולות משופרות של DV/DTV

תיאור

ה-SL160N03Q N-Channel Enhancement MOSFET PDFN-8L(5x6) מיועד ליישומים תובעניים שבהם יעילות ואמינות חיוניות. MOSFET זה מתגאה במתח מקור ניקוז מרבי של 30V וביכולת זרם ניקוז רציף משמעותית של 160A, מה שהופך אותו לאידיאלי למשימות מיתוג בעוצמה גבוהה.


תכונות

● VDS=30V, ID=160A

● RDS (מופעל) טיפוסי = 1.6mΩ @VGS = 10V

● RDS (מופעל) טיפוסי = 2.3mΩ @VGS = 4.5V

● התנגדות RDS (ON) נמוכה מאוד

● LowCrss

● החלפה מהירה

● נבדק 100% מפולת

● יכולות משופרות של DV/DTV  


בקשה

● יישום PWM

● מתג עומס

● ניהול חשמל


שם
כותרת
תיאור
גליון הנתונים
תמיכה

תמיכה

 

אם אתם זקוקים לתמיכה טכנית/עיצובית, אנא הודיעו לנו ומלאו את טופס התגובה. נחזור אליכם בהקדם האפשרי.

אריכות ימים

 

תוכנית אריכות הימים נועדה לספק ללקוחותינו מידע מעת לעת לגבי הזמן הצפוי בו ניתן יהיה להזמין את המוצרים שלנו. תוכנית אריכות הימים נבדקת ומתעדכנת באופן קבוע על ידי צוות ההנהלה הבכיר שלנו. צפו בתוכנית אריכות הימים שלנו כאן.

whatsapp

מוקד שירות

tel: +86 755 83044319

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950