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SL160N03Q N-Kanal-Verstärkungs-MOSFET PDFN-8L (5x6)

● Schnelles Umschalten

● 100 % lawinengetestet

● Verbesserte dv/dt-Fähigkeit

Beschreibung

Der SL160N03Q N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET PDFN-8L (5x6) ist für anspruchsvolle Anwendungen konzipiert, bei denen Effizienz und Zuverlässigkeit entscheidend sind. Dieser MOSFET verfügt über eine maximale Drain-Source-Spannung von 30 V und eine beträchtliche kontinuierliche Drainstromkapazität von 160 A, was ihn ideal für Schaltaufgaben mit hoher Leistung macht.


Eigenschaften

● VDS=30V, ID=160A

● RDS(ON) TYP = 1.6 mΩ bei VGS = 10 V

● RDS(ON) TYP = 2.3 mΩ bei VGS = 4.5 V

● Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(ON)

● Niedriges Kreuz

● Schnelles Umschalten

● 100 % lawinengetestet

● Verbesserte dv/dt-Fähigkeit  


Anwendung

● PWM-Anwendung

● Lastschalter

● Energieverwaltung


Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Unterstützung

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Langlebigkeit

 

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