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MOSFET d'amélioration de canal N SL160N03Q PDFN-8L (5x6)

● Commutation rapide

● 100 % testé contre les avalanches

● Capacité dv/dt améliorée

Description

Le MOSFET PDFN-160L(03x8) à amélioration de canal N SL5N6Q est conçu pour les applications exigeantes où l'efficacité et la fiabilité sont cruciales. Ce MOSFET dispose d'une tension drain-source maximale de 30 V et d'une capacité de courant de drain continu substantielle de 160 A, ce qui le rend idéal pour les tâches de commutation haute puissance.


Fonctionnalité

● VDS=30V,ID=160A

● RDS(ON)TYP = 1.6 mΩ à VGS = 10 V

● RDS(ON)TYP = 2.3 mΩ à VGS = 4.5 V

● Très faible résistance à l'état passant RDS(ON)

● LowCrss

● Commutation rapide

● 100 % testé contre les avalanches

● Capacité dv/dt améliorée  


Application

● Application PWM

● Interrupteur de charge

● Gestion de l'alimentation


Nom
Objet
Description
Fiche technique
Assistance

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Longévité

 

Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.

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