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SL160N03Q NチャネルエンハンスメントMOSFET PDFN-8L(5x6)

● 高速スイッチング

● 100%雪崩テスト済み

● dv/dt性能の向上

詳細説明

SL160N03Q N チャネル エンハンスメント MOSFET PDFN-8L(5x6) は、効率と信頼性が極めて重要な要求の厳しいアプリケーション向けに設計されています。この MOSFET は、最大ドレイン ソース電圧 30V と、160A の連続ドレイン電流能力を誇り、高電力スイッチング タスクに最適です。


特長

● VDS=30V、ID=160A

● RDS(ON)TYP = 1.6mΩ @VGS =10V

● RDS(ON)TYP = 2.3mΩ @VGS =4.5V

● 非常に低いオン抵抗RDS(ON)

● 低Crss

● 高速スイッチング

● 100%雪崩テスト済み

● dv/dt性能の向上  


用途

● PWMアプリケーション

● 負荷スイッチ

● 電源管理


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耐用性アップ

 

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